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[8163-0016-0001] 半導體裝置的制造方法
[摘要] 在含有半導體基片的半導體結構上形成以硅氧烷鍵為主骨架的低介質常數絕緣膜。此低介質常數絕緣膜中以界面活性劑浸透。使此為所述界面活性劑浸透的上述低介電常數絕緣膜在能暴露于水的狀態下進行預定的工序。
[8163-0038-0002] 具有透鏡的LED光源
[摘要] 在本發明的光源內將主要為表面安裝技術制造的LED(2)埋入到透明的填充材料(3)內，其內包含用于由LED發射光至少部分波長轉換的轉換器物質，并且一只透鏡(4)粘合到透明填充材料上，其中填充材料具有凸表面(3A)，并且透鏡(4)具有與填充材料凸表面形狀適配的凹下底面(4A)。
[8163-0192-0003] 半導體存儲裝置及其制造方法
一位存儲器單元MC由具有與其它部分電隔離的浮動體區的MOS晶體管構成，MOS晶體管的柵電極13連接字線WL、漏擴散層14連接位線BL、源擴散層15連接固定電位線SL，將MOS晶體管的體區12內注入由碰撞電離而產生的多數載流子并保持的第1閾值狀態和隨漏側pn結的正向偏壓而放出MOS晶體管的體區12的多數載流子的第2閾值狀態作為二進制數據進行存儲。因此，將簡單的晶體管構造作為存儲單元，可以提供信號線少，能夠動態存儲二進制數據的半導體存儲裝置。
[8163-0002-0004] 存儲器裝置及其制造方法和集成電路
[摘要] 提供一種能夠精確讀取數據的存儲器裝置、該存儲器裝置的制造方法、以及集成電路。第一控制電極實質上與第二控制電極相面對，傳導區和存儲區位于其間。在“數據讀取”的同時，電勢被施加到第一控制電極。在“數據讀取”期間，防止了傳導區和存儲區之間的電勢變化，因此防止了信息的無意寫入或擦除,從而能夠精確地讀取寫入的信息。
[8163-0034-0005] 埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導體元件的半導體器件的制造方法
[摘要] 一種制造半導體器件的方法，此器件包含具有半導體區(17、18、24、44、45)的半導體元件，該半導體區制作在位于埋置絕緣層(2)上的硅晶片(1)的頂層(4)中。在此方法中，執行通常稱為前期工藝的第一系列工藝步驟，其中特別是硅晶片被加熱到700℃以上的溫度。然后，在頂層中制作延伸范圍與埋置的絕緣層相同、且不與pn結相交的溝槽(25)。在用絕緣材料(26、29)已經填充所述溝槽之后，在通常稱為后期工藝的第二系列工藝步驟中完成半導體器件，其中，晶片溫度不超過400℃。用晶片不被加熱到超過500℃的溫度的淀積工藝來填充溝槽。以這種方式，能夠制作包含具有非常小而淺的半導體區的半導體元件的半導體器件。
[8163-0104-0006] 一種處理裝入智能插卡的削薄的芯片的方法
[摘要] 說明了各種用于處理各削薄的芯片以便裝在各智能插卡之中的方法。一晶片在任何情況下借助于一粘接層以其前側首先膠接于一載體襯底。然后此晶片從后側被削薄并通過從后側鋸開而達到粘接層來被分割成為各個芯片。粘接層然后被溶解而各個芯片用一吸頭提起而離開載體襯底并被投放在一特制托盤之內用于進一步加工處理。另外，從晶片鋸出的各芯片借助于一第二粘接層以一連續的載體薄膜膠接在后側上而第一粘接層然后用一種不會破壞第二粘接層的方法加以溶解。由載體薄膜接合起來的各芯片因而可以一起被提起而離開載體襯底而在溶解第二粘接層之后分別地被從載體薄膜上取出。晶片可以另外在鋸切之前借助于一第二粘接層用一連續的載體薄膜膠接在后側上。在此情況下，同樣，第一粘接層被溶解而保持第二粘接層，而由載體薄膜加強的各個芯片然后被提起而離開載體襯底。
[8163-0007-0007] 發光二極管
[摘要] 一種能夠用單一的發光元件芯片發出多種中間色調的小型且電流消耗量少的發光二極管，具有：基板；在前述基板上形成的電極；連接到前述電極、且配置在基板的上表面上的發光元件芯片；密封前述發光元件芯片上面側的樹脂件；以及分散在前述樹脂件中的熒光顆粒和色素顆粒。來自前述發光元件芯片的光和由熒光顆粒進行了波長變換的光的波長的一部分被色素顆粒吸收。
[8163-0004-0008] 自發光器件及其驅動方法
[摘要] 提供了一種不容易產生偽輪廓的自發光器件以及一種驅動自發光器件的方法。為了防止看到諸如偽輪廓的顯示不規則性，子幀周期從最長的子幀周期順序被分割，且已經被分割的子幀周期(被分割的子幀周期)被分布在一幀周期內，以便不相繼出現。然后，在多個被分割的子幀周期中，第一被分割的子幀周期內讀出的數據被存儲在各個象素的存儲器中，并在其它被分割的子幀周期內讀出所存儲的數據，從而執行顯示。根據上述結構，于是能夠防止觀察到諸如使用二進制編碼方法的時分驅動中明顯的偽輪廓之類的顯示障礙。
[8163-0074-0009] 半導體集成電路器件的制造方法及掩模制作方法
[摘要] 在同一潔凈室內提供有每個遮光圖形都由有機膜制成的光掩模制作區和半導體集成電路器件制造區。光掩模的制作和半導體集成電路器件的制造共用制造和檢查設備。
[8163-0031-0010] 一種有機薄膜場效應晶體管及其制備方法
[摘要] 本發明提供了一種有機薄膜場效應晶體管及其制備方法。該器件包括靠近基片梳形平行的第一電極和第二電極，遠離基片的第三電極，以及夾在所述第一、第二電極和第三電極之間的有機半導體層和絕緣層。該制備方法中的絕緣層采用具有良好絕緣性能的有機材料，通過全蒸鍍法正向制備有機薄膜場效應晶體管，從而有效增大了晶體管的飽和電流，縮小了晶體管面積。
[8163-0045-0011] 制作散熱型集成電路芯片塑料封裝的安裝散熱片方法
[8163-0008-0012] 半導體器件及其制造方法
[8163-0115-0013] 半導體存儲器電路的電容器的制造方法
[8163-0018-0014] 一種焦平面讀出電路像素陣列的布圖方法和金屬布線結構
[8163-0146-0015] 金屬基座復合元件
[8163-0137-0016] 一種用于結晶硅層的方法
[8163-0063-0017] 半導體器件及其制造方法
[8163-0013-0018] 一種集成電路封裝用基板結構及其制造方法
[8163-0101-0019] 太陽電池以及太陽電池元件
[8163-0062-0020] 半導體器件及其制造方法
[8163-0022-0021] 半導體裝置和半導體模塊
[8163-0083-0022] 自行對準位線接觸窗與節點接觸窗制造方法
[8163-0125-0023] 分體式熱電偶制冷和發電技術
[8163-0053-0024] 復合集成電路的設計驗證方法
[8163-0052-0025] 金屬導線的制造方法
[8163-0210-0026] 模塊組件和電子器件
[8163-0211-0027] 半導體模塊及其制造方法
[8163-0041-0028] 成膜方法和成膜裝置
[8163-0079-0029] 用于微調集成電路的電路和方法
[8163-0130-0030] 高密度電子封裝及其制造方法
[8163-0028-0031] 參考電壓半導體
[8163-0113-0032] 接觸構件及其生產方法以及采用該接觸構件的探針接觸組件
[8163-0023-0033] 半導體裝置和半導體模塊
[8163-0128-0034] 一種電可擦寫的分子基有機電雙穩薄膜器件及其制作工藝
[8163-0196-0035] Ⅲ族氮化物半導體發光組件的切割方法
[8163-0033-0036] 用橫向生長制備氮化鎵層
[8163-0197-0037] 自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
[8163-0185-0038] 靜電放電防護元件及相關的電路
[8163-0163-0039] 可降低鄰近效應的光刻制作方法
[8163-0021-0040] 薄型封裝的半導體器件及其制造方法
[8163-0006-0041] 光元件用光學器件和用該光元件用光學器件的設備
[8163-0109-0042] 半導體集成電路器件的制造方法
[8163-0043-0043] 電子零件的制造方法和制造裝置
[8163-0088-0044] 電光器件及其驅動方法
[8163-0111-0045] 引線框架和引線框架的制造方法
[8163-0095-0046] 塑料芯片載具的無毛邊堡形通孔的制造方法和產品
[8163-0144-0047] 雙金屬鑲嵌結構開口的制造方法
[8163-0206-0048] 含多晶有源層的薄膜晶體管及其制造方法
[8163-0212-0049] 電壓轉換電路
[8163-0090-0050] 有包膜熒光粉的發光器件
[8163-0097-0051] 具有雙極性晶體管的半導體裝置
[8163-0138-0052] 提高硅化物熱穩定性的方法
[8163-0012-0053] 形成溝道金屬氧化物半導體器件和端子結構的方法
[8163-0155-0054] 具有反向隧穿層的發光二極管
[8163-0061-0055] 固體攝像裝置
[8163-0127-0056] 一種超導薄膜諧振器
[8163-0047-0057] 螺旋接觸器及該裝置制造方法,以及應用該裝置的半導體檢測設備和電子元件
[8163-0073-0058] 改善光致抗蝕劑圖案側邊輪廓的方法
[8163-0154-0059] 氮化銦鎵發光二極管
[8163-0181-0060] 具散熱結構的半導體封裝件
[8163-0143-0061] 半導體芯片設計方法
[8163-0058-0062] 半導體器件和半導體組件
[8163-0036-0063] 有機薄膜半導體器件的制造方法
[8163-0040-0064] 液態膜干燥方法及液態膜干燥裝置
[8163-0199-0065] 利用加熱到部分凝膠態的底層填料底層填充控制熔塌芯片連接(C4)集成電路封...
[8163-0218-0066] 氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法
[8163-0162-0067] 氮化物半導體元件
[8163-0134-0068] 帶有改進的接觸點的電可編程存儲器元件
[8163-0165-0069] 增加半導體的介電材質的粘附性質的方法
[8163-0076-0070] 在親水性介電材質上形成低介電常數材質的方法及結構
[8163-0180-0071] 封裝膠體具有肩部的半導體封裝件及用以封裝該半導體封裝件的模具
[8163-0123-0072] 太陽能電池
[8163-0186-0073] 溝槽限定硅鍺靜電放電二極管網絡
[8163-0201-0074] 制造一種具有由光敏樹脂保護的集成電路的便攜式電子裝置的方法
[8163-0213-0075] 半導體集成電路系統
[8163-0176-0076] 具溢膠防止結構的半導體封裝件及其制法
[8163-0070-0077] 高溫應用碳化硅場效應晶體管及其使用和制造方法
[8163-0184-0078] 導線架具有凹部的半導體封裝件
[8163-0102-0079] 制造半導體產品的設備
[8163-0035-0080] 集成電路裝置
[8163-0014-0081] 電路裝置的制造方法
[8163-0179-0082] 功率半導體器件
[8163-0059-0083] 一種硅鍺器件
[8163-0010-0084] 電容器的連線結構的制造方法
[8163-0189-0085] 半導體集成電路
[8163-0037-0086] 鋁合金背面結太陽電池及其制作方法
[8163-0082-0087] 具有電容器的半導體存儲器件的制造方法
[8163-0217-0088] 有控制柵隔片的浮柵存儲單元的半導體存儲陣列自對準方法及制造的存儲陣列
[8163-0215-0089] 利用超薄介質擊穿現象的可再編程不揮發性存儲器
[8163-0161-0090] 有機電致發光器件及其制造方法
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[8163-0001-0092] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[8163-0103-0093] 測繪在硅晶片表面上金屬雜質濃度的工藝方法
[8163-0151-0094] 一種新穎整流元件的結構及其制法
[8163-0204-0095] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0133-0096] 具有低開啟電壓的磷化銦肖特基裝置及其制造方法
[8163-0200-0097] 采用各向異性濕法刻蝕的寬展溝槽的方法
[8163-0147-0098] 無晶片承載件的半導體裝置及其制法
[8163-0160-0099] 大功率半導體器件的供電及散熱裝置
[8163-0060-0100] 半導體存儲器
[8163-0003-0101] 熱光電池及其制備方法
[8163-0205-0102] 具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法
[8163-0177-0103] 具有外露晶片座的半導體封裝件
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[8163-0048-0105] 半導體器件的制造方法
[8163-0132-0106] 改進的射頻功率晶體管
[8163-0009-0107] 薄膜、半導體薄膜、半導體器件的生產方法
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[8163-0136-0109] 具有定位結構的晶圓載入機及其安裝方法
[8163-0119-0110] 設置在半導體電路中的保護電路
[8163-0167-0111] 改善CMOS數字圖像傳感器成像質量的γ射線輻照方法
[8163-0174-0112] 補償型金屬氧化物半導體器件結構及其制造方法
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[8163-0172-0118] 半導體集成電路的測試裝置及半導體集成電路的測試方法
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[8163-0068-0127] 改進的靜電放電二極管結構
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