HS-CLT少子壽命測(cè)試儀是一款功能異常強(qiáng)大的少子壽命測(cè)試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到20000μs,硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm,(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導(dǎo)體及太陽能拉晶企業(yè)不可多得少子壽命測(cè)量?jī)x器。

產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。

■ 主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

■ 適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ＞0.1Ω·cm（可擴(kuò)展至0.01Ω·cm），完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。
■ 全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
■ 貫穿深度大，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
■ 專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。

■ 性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外國(guó)外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。

推薦工作條件

■ 溫度：23±2℃
■ 濕度：60%~70%
■ 無強(qiáng)磁場(chǎng)、不與高頻設(shè)備鄰近

技術(shù)指標(biāo)

■ 主機(jī)構(gòu)成：HS-CLT少子壽命測(cè)試儀主機(jī)1臺(tái),HS-CAL高級(jí)讀顯機(jī)１臺(tái)，測(cè)試樣片1片，光源線，信號(hào)線，光源電極板，防塵罩，砝碼，立柱，樣品托架

■ 測(cè)試范圍廣：硅半導(dǎo)體材料-硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片（用于硅棒尾部反切2mm以上）等，鍺半導(dǎo)體材料，拋光，研磨，裸片多種類型都可測(cè)試 
■ 少子壽命測(cè)試范圍:1μs-20000μs

■ 電阻率范圍：0.1Ω.cm-10000Ω.cm

■ 激光波長(zhǎng)：904-905nm/1.06-1.07um

■ 工作頻率：30MHz

■ 低輸出阻抗，輸出功率＞1W

■ 電源：～220V  50Hz    功耗＜50W

■ 檢測(cè)分辨率：0.1﹪。

■ 測(cè)試點(diǎn)大�。�<10m㎡；