MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200DU-12F熱賣 MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200DU-12F正品 MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200DU-12F現(xiàn)貨

概要：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是所有產(chǎn)業(yè)設(shè)備的變換器所必需的器件，從20年前投產(chǎn)開始就不斷推進(jìn)大電流化和高耐壓化。而且芯片構(gòu)造從平面構(gòu)造向溝槽閘門構(gòu)造推進(jìn)，通過CSTBT（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：本公司獨(dú)創(chuàng)的載流存儲型溝槽閘門），不斷適應(yīng)產(chǎn)業(yè)設(shè)備的低損耗化和小型化。以繼承原有外形的NF系列和高頻轉(zhuǎn)換用NFH系列為首，推出各種型號的IGBT模塊產(chǎn)品陣容。

特長〈NX系列〉采用CSTBT芯片 低損耗、提高短路耐受量、改善閘門容量 從1in1產(chǎn)品到CIB（Converter Inverter Brake）型號的產(chǎn)品陣容 內(nèi)置熱敏電阻 包裝厚度薄（17mm） 符合RoHS指令

主要用途：通用變頻器和伺服控制等UPS電源，數(shù)控機(jī)床，交流傳動控制，伺服，焊工.通用變頻器和伺服控制等.高頻開關(guān)使用（30kHz到60kHz的）。梯度放大器，感應(yīng)加熱，電源等

代表反并聯(lián)的發(fā)射極 - 集電極續(xù)流二極管（FWDI）的額定值和特點(diǎn)。情況下的溫度（TC）和散熱片的溫度（Ts）的基板和散熱片的每個表面上定義的剛下芯片。 （芯片的位置，請參閱圖）散熱器的熱阻{RTH（S - A）}剛下芯片測量。脈沖寬度和重復(fù)率應(yīng)該是這樣的器件結(jié)溫（T J）劑量不超過T JMAX評級。結(jié)溫（T J）不應(yīng)該增加超出Tj最大評級。脈沖寬度和重復(fù)率應(yīng)該是這樣的，容易引起溫度升高可以忽略不計(jì)。 （請參考測試電路的身影）典型值是衡量使用導(dǎo)熱油脂λ=0.9 W /（M·K）。操作溫度受制于女性連接器外殼的許可溫度。