氮化鎵技術資料-生長方法氮化鎵-剝離氮化鎵-波段氮化鎵-位錯氮化鎵-氮化鎵半導體類資料（268元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：268元；資料（光盤）編號：F150127
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
《氮化鎵資料》包括專利技術全文資料355份。
0001)具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發光二極管及固態白光器件

0011)準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
0012)一種檢測氮化鎵基發光二極管質量優劣的方法
0013)膜沉積第Ⅲ族氮化物如氮化鎵的方法
0014)氮化鎵(GaN)類化合物半導體裝置及其制造方法
0015)氮化鎵薄膜材料的制備方法
0016)一種氮化鎵發光二極管管芯及其制造方法
0017)一種提高氮化鎵(GaN)基半導體材料發光效率的方法
0018)燒結的多晶氮化鎵
0019)氮化鎵HEMT器件表面鈍化及提高器件擊穿電壓的工藝
0020)一種氮化鎵基發光二極管外延片結構及其制備方法
0021)氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件
0022)氮化鎵基LED的發光裝置
0023)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0024)一種用于制備稀土摻雜氮化鎵發光薄膜的方法和裝置
0025)氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
0026)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0027)氮化鎵單晶襯底及其制造方法
0028)氮化鎵系Ⅲ(*)一種制備氮化鎵基 LED的新方法
0030)一種制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0031)形成氮化鎵器件和電路中接地通孔的方法
0032)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0033)鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法
0034)氮化鎵薄膜制備技術及專用裝置
0035)用于制造基于氮化鎵的單晶襯底的方法和裝置
0036)紫外雙波段氮化鎵探測器
0037)氮化鎵基可見/紫外雙色光電探測器
0038)氮化鎵外延層的制造方法
0039)基于氮化鎵的發光二極管及其制造方法
0040)氮化鎵基發光二極管芯片及其制造方法
0041)氮化鎵陶瓷體的制備方法
0042)氮化鎵系發光二極管的結構及其制作方法
0043)氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的金屬插入層及制備方法
0044)氮化鎵層的制備方法
0045)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0046)橫向外延生長高質量氮化鎵薄膜的方法
0047)氮化鎵系發光二極管
0048)氮化鎵基發光二極管芯片
0049)氮化鎵基發光二極管指示筆
0050)氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
0051)P型氮化鎵電極的制備方法
0052)往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
0053)氮化鎵薄膜外延生長結構及方法
0054)一種氮化鎵基小芯片LED陣列結構及制備方法
0055)氮化鎵半導體激光器
0056)小尺寸氮化鎵基藍、綠色發光二極管管芯的制作方法
0057)利用銦摻雜提高氮化鎵基晶體管材料與器件性能的方法
0058)具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管及其制備方法
0059)一種利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
0060)氮化鎵系Ⅲ(*)一種氮化鎵系發光二極管結構及其制造方法
0062)一種用于LED的硅基氮化鎵外延層轉移方法
0063)氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
0064)提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結構及制作方法
0065)氮化鎵基共振腔增強型紫外光電探測器及制備方法
0066)導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底
0067)自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
0068)氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長
0069)氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法
0070)一種提高氮化鎵基LED芯片抗靜電能力的外延片生長方法
0071)改進的制備自支撐氮化鎵襯底的激光剝離的方法
0072)氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
0073)用橫向生長制備氮化鎵層
0074)氮化鎵的塊狀單結晶的制造方法
0075)生長高阻氮化鎵外延膜的方法
0076)氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
0077)一種判斷氮化鎵基發光二級管非輻射復合中心濃度的方法
0078)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0079)采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片
0080)氮化鎵半導體襯底及其制造方法
0081)氮化鎵系發光二極管
0082)硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
0083)氮化鎵系Ⅲ(*)一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法
0085)氮化鎵系發光二極管結構
0086)一種制作氮化鎵發光二極管芯片N電極的方法
0087)氮化鎵類化合物半導體發光元件及其制造方法
0088)氮化鎵系發光二極管
0089)用于氮化鎵外延生長的襯底材料及制備方法
0090)具有緩沖電極結構的氮化鎵半導體芯片
0091)通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
0092)氮化鎵基發光二極管P、N型層歐姆接觸電極及其制法
0093)大功率氮化鎵基發光二極管的制作方法
0094)通過氣相外延法制造具有低缺陷密度的氮化鎵膜的方法
0095)局部存在有單晶氮化鎵的基底及其制備方法
0096)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0097)制造在單晶氮化鎵襯底上的Ⅲ族氮化物基諧振腔發光器件
0098)基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
0099)射頻等離子體分子束外延生長氮化鎵的雙緩沖層工藝
0100)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鎳/金歐姆接觸系統
0101)一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
0102)使用多導電層作為P型氮化鎵歐姆接觸的透明電極結構
0103)氮化鎵基高單色性光源陣列
0104)適用于氮化鎵器件N型歐姆接觸的制作方法
0105)一種高發光效率的氮化鎵系列發光二極管及其制造方法
0106)在硅襯底上生長碳化硅\氮化鎵材料的方法
0107)氮化鎵基發光二極管及其制造方法
0108)采用干法刻蝕制備氮化鎵納米線陣列的方法
0109)鋁鎵氮化物/氮化鎵高電子遷移率晶體管及制造方法
0110)含晶格參數改變元素的氮化鎵器件襯底
0111)含鎵氮化物塊狀單結晶在異質基板上的形成法
0112)經表面粗化的高效氮化鎵基發光二極管
0113)無可見光干擾讀出電路的氮化鎵基探測器及制備方法
0114)導電的非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0115)氮化鎵紫外探測器
0116)制備氮化鎵單晶薄膜材料的裝置及方法
0117)氮化鎵系垂直發光二極管結構及其基材與薄膜分離的方法
0118)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0119)碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法
0120)氮化鎵系發光二極管的制作方法
0121)一種因干法刻蝕受損傷的氮化鎵基材料的回復方法
0122)用于氮化鎵材料制備工藝的輻射式加熱器
0123)氮化鎵晶圓
0124)垂直的氮化鎵基發光二極管及其制造方法
0125)絕緣柵鋁鎵氮化物/氮化鉀高電子遷移率晶體管(HEMT)
0126)氮化鎵基雙異質結場效應晶體管結構及制作方法
0127)氮化鎵基肖特基結構紫外探測器及制作方法
0128)一種用溶膠凝膠法制備氮化鎵納米晶體的方法
0129)三甲基鎵、其制造方法以及從該三甲基鎵成長的氮化鎵薄膜
0130)形成于碳化硅基板上的氮化鎵膜的剝離方法及使用該方法制造的裝置
0131)具有基于氮化鎵的輻射外延層序列的發光二極管芯片及其制造方法
0132)氮化鎵化合物半導體發光元件及其制造方法
0133)氮化鎵系列化合物半導體元件
0134)氮化鎵基化合物半導體器件
0135)適用于氮化鎵器件的鈦/鋁/鈦/鉑/金歐姆接觸系統
0136)氮化鎵基半導體發光裝置、光照明器、圖像顯示器、平面光源裝置和液晶顯示組件
0137)氮化鎵外延層的制造方法
0138)氮化鎵基藍光發光二極管
0139)氮化鎵單晶基板及其制造方法
0140)氮化鎵基光子晶體激光二極管
0141)一種制造氮化鎵發光二極管芯片的工藝方法
0142)在硅襯底上生長氮化鎵自支撐襯底材料的方法
0143)碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
0144)氮化鎵單晶膜的制造方法
0145)氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
0146)氮化鎵系半導體的成長方法
0147)氮化鎵系發光器件
0148)在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法
0149)生長氮化鎵晶體的方法
0150)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/金歐姆接觸系統
0151)氮化鎵基發光二極管芯片及其制作方法
0152)一種氮化鎵系Ⅲ(*)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0154)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0155)非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置
0156)制作氮化鎵半導體元件中劈裂鏡面的方法
0157)氮化鎵基發光二極管的垂直組件結構及其制造方法
0158)一種檢測氮化鎵基材料局域光學厚度均勻性的方法
0159)基于氮化鎵的裝置和制造方法
0160)氮化鎵單晶的生長方法和氮化鎵單晶
0161)一種無機化合物氮化鎵納米線的制取方法
0162)樹葉脈絡形大功率氮化鎵基發光二極管芯片的P、N電極
0185)一種用于氮化鎵外延生長的新型藍寶石襯底
0195)用于生長平坦半極性氮化鎵的技術
0196)制做氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的方法
0197)獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置
0198)氮化鎵晶體的制造方法
0199)氮化鎵晶體的制備方法
0200)氮化鎵基異質結場效應晶體管結構及制作方法
0201)富鎵氮化鎵薄膜的制造方法
0202)氮化鎵基半導體器件及其制造方法
0203)利用始于溝槽側壁的橫向生長來制造氮化鎵半導體層
0204)一種控制氮化鎵(GaN)極性的方法
0205)亞穩態巖鹽相納米氮化鎵的溶劑熱合成制備方法
0206)氮化鎵層的制備方法
0207)自剝離氮化鎵襯底材料的制備方法
0208)鎵極性氮化鎵緩沖層的生長方法
0209)利用倒裝焊技術制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0210)氮化鎵系發光二極管的結構及其制造方法
0211)一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
0212)氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
0213)用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0214)反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
0215)氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
0216)光學讀出的氮化鎵基單量子阱超聲波傳感器
0217)HVPE方法生長氮化鎵膜中的SiO2納米掩膜及方法
0218)基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
0219)導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
0220)基于氮化鎵鋁的多波段紫外輻照度測量裝置
0221)改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結構
0222)具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
0223)氮化砷化鎵銦系異質場效應晶體管及其制造方法和使用它的發送接收裝置
0224)具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
0225)一種氮化鎵單晶的熱液生長方法
0226)提高氮化鎵光導型紫外光電探測器響應度方法及探測器
0227)倒裝氮化鎵基發光二極管芯片的制作方法
0228)金屬有機物化學氣相沉積氮化鎵基薄膜外延生長設備
0229)單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
0230)氮化鎵系發光二極管的構造
0231)氮化鎵基紫外(*)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
0233)PIN結構氮化鎵基紫外探測器及其制作方法
0234)應用于基于氮化鎵材料的包封退火方法
0235)用于高質量同質外延的連位氮化鎵襯底
0236)倒裝焊技術制作氮化鎵基發光二極管管芯的方法
0237)利用倒裝焊技術制作氮化鎵基發光二極管管芯的方法
0238)一種制備氮化鎵單晶襯底的方法
0239)氮化鎵半導體發光元件
0240)氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的制作方法
0241)氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法
0242)一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
0243)氮化鎵序列的復合半導體發光器件
0244)氮化鎵基Ⅲ(*)具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ(*)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發光二極管
0247)新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管
0248)基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
0249)氮化鎵系化合物半導體發光器件
0250)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0251)一種氮化鎵基外延膜的制備方法
0252)激光誘導下的氮化鎵P型有效摻雜制備方法
0253)具有無鎵層的III族氮化物發光器件
0254)一種氮化鎵基發光二極管P型層透明導電膜及其制作方法
0255)有關氮化鎵的化合物半導體器件及其制造方法
0256)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0257)激光剝離制備自支撐氮化鎵襯底的方法
0258)氮化鎵透明導電氧化膜歐姆電極的制作方法
0259)用于合成氮化鎵粉末的改進的系統和方法
0260)氮化鎵基發光二極管芯片及其制造方法
0261)氮化鎵系發光二極管的垂直電極結構
0262)非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0263)氮化銦鎵發光二極管
0264)寬帶隙氮化鎵基異質結場效應晶體管結構及制作方法
0265)高亮度氮化鎵類發光二極體結構
0266)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0267)光輻射加熱金屬有機化學汽相淀積氮化鎵生長方法與裝置
0268)非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0269)氮化鎵基發光二極管N型層歐姆接觸電極的制作方法
0270)一種制造重摻雜氮化鎵場效應晶體管的方法
0271)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發光二極管及制備方法
0272)鎢輔助熱退火制備氮化鎵納米線的制備方法
0273)一種制造變異勢壘氮化鎵場效應管的方法
0274)氮化鎵基藍光激光器的制作方法
0275)抗靜電氮化鎵發光器件及其制造方法
0276)超高立式反應器的氮化鎵金屬有機物化學氣相淀積法設備
0277)在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層,并由此制造氮化鎵半導體結構的方法
0278)氮化鎵基半導體器件
0279)一種生長室和氮化鎵體材料生長方法
0280)氮化鎵表面低損傷蝕刻
0281)一種改善氮化鎵功率晶體管散熱性能的方法
0282)氮化鎵晶體、同質外延氮化鎵基器件及其制造方法
0283)氮化鎵晶體的制造方法
0284)一種氮化鎵基場效應管及其制作方法
0285)一種氮化鎵基Ⅲ(*)以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
0287)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0288)具有低溫成長低電阻值P型接觸層的氮化鎵系發光二極管
0289)晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
0290)溶膠－凝膠法制氮化鎵納米多晶薄膜
0291)在基于氮化鎵的蓋帽區段上有柵接觸區的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法
0292)氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
0293)氮化鎵紫外色度探測器及其制作方法
0294)一種氮化鎵基大管芯發光二極管及其制備方法
0295)具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
0296)一種小體積高亮度氮化鎵發光二極管芯片的制造方法
0297)一種改變氫化物氣相外延法生長的氮化鎵外延層極性的方法
0298)氮化鎵半導體裝置的封裝
0299)一種采用新型助熔劑熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
0300)氮化鎵系Ⅲ(*)背照射氮化鎵基肖特基結構紫外探測器
0302)氮化鎵襯底以及氮化鎵襯底測試及制造方法
0303)氮化鎵化合物半導體制造方法
0304)氮化鎵基Ⅲ(*)用于寬帶應用的氮化鎵材料晶體管及方法
0306)高P型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長方法
0307)氮化鎵系發光組件及其制造方法
0308)氮化鎵基發光二極管管芯的制作方法
0309)氮化鎵基高亮度高功率藍綠發光二極管芯片
0310)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0311)獲得大單晶含鎵氮化物的方法的改進
0312)改進氫化物氣相外延生長氮化鎵結晶膜表面質量的方法
0313)塊狀單晶含鎵氮化物制造方法
0314)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0315)減小表面態影響的氮化鎵基MSM結構紫外探測器
0316)薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學器件及其制備方法
0317)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0318)氮化鎵二極管裝置的緩沖層結構
0319)背孔結構氮化鎵基發光二極管的制作方法
0320)金剛石上的氮化鎵發光裝置
0321)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化鎵基紅外(*)塊狀單晶含鎵氮化物及其應用
0324)氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
0325)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化鎵類化合物半導體裝置
0327)新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
0328)氮化鎵系發光二極管結構
0329)氮化鎵系異質結構光二極體
0330)以多孔氮化鎵作為襯底的氮化鎵膜的生長方法
0331)一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
0332)氮化鎵類半導體元件及其制造方法
0333)氮化鎵發光二極管結構
0334)氮化鎵熒光體及其制造方法
0335)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0336)生長高遷移率氮化鎵外延膜的方法
0337)提高氮化鎵材料載流子遷移率的方法
0338)氮化鎵基Ⅲ(*)碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導體器件以及硅襯底
0340)改善氮化鎵基半導體發光二極管歐姆接觸的合金方法
0341)采用金屬鍵合工藝實現氮化鎵發光二極管垂直結構的方法
0342)氮化鎵系Ⅲ(*)一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法
0344)I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
0345)垂直結構的非極化的氮化鎵基器件及側向外延生產方法
0346)用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0347)生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備
0348)降低氮化鎵單晶膜與異質基底間應力的方法
0349)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0350)氮化鎵多重量子井發光二極管的n型接觸層結構
0351)氮化鎵高電子遷移率晶體管的結構及制作方法
0352)高亮度氮化鎵基發光二極管外延片的襯底處理方法
0353)功率型氮化鎵基發光二極管芯片
0354)不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
0355)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法



查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）

金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）

本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913    收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417     收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777   收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233    收款人: 王雷
中國    銀行：418330501880227509    戶  名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站   收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電  話：0414-2114320   3130161
手  機：13941407298
客服QQ：547978981    824312550   517161662

敬告：本公司已通過華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
貨到付款：辦理貨到付款業務請與QQ：547978981聯系。

本公司經營技術，質量保證，歡迎咨詢洽談。