氮化硅技術資料-面氮化物薄膜-立方氮化硼-襯底氮化鎵-裂紋氮化鎵-介電氮化類資料（298元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：298元；資料（光盤）編號：F150126
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《氮化硅資料》包括專利技術全文資料459份。
0001)碳化硅(*)局部硅(*)氮化硅基復合陶瓷及其活塞頂
0013)高強度氮化硅多孔體及其制造方法
0014)含有氧化釔、_氧化鑭和氧化鋁的氮化硅陶瓷及制造方法
0015)基本上沒有氧化誘生堆垛層錯的摻氮硅
0016)晶須補強氮化硅復合材料制造方法
0017)具有控制應力的氮化硅膜
0018)氮化硅膜的制造方法
0019)一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法
0020)以氮化硅鎂作為生長助劑燃燒合成制備β(*)P型信道氮化硅只讀存儲器的擦除方法
0022)一種氮化硅—碳化鈦復合材料的制備方法
0023)利用原子層沉積法形成氮化硅間隙壁的方法
0024)氮化硅的自研磨
0025)聚合的氫化硅氮烷及其制備方法和由其制備含四氮化三硅的陶瓷材料及其制備方法
0026)氮化鋁/硼硅酸鹽玻璃低溫共燒陶瓷基板材料及其制備方法
0027)氮化硅電開水器
0028)密封氮化硅過濾器的方法和密封組合物
0029)制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅層的半導體組件的方法
0030)氮化硅用作醫用生物材料的組合物、生產和應用
0031)無缺陷氮化硅晶須的制備
0032)氮化硅只讀存儲器的結構與制造方法
0033)通過后PECVD沉積UV處理增加氮化硅膜的拉伸應力的方法
0034)具有結晶晶界相的自增強氮化硅陶瓷及制備方法
0035)在氮化硅層上形成氮氧化硅層的方法
0036)超細氮化硅微粉氣相合成新工藝
0037)氮化硅質過濾器的制造方法
0038)聚(1,2(*)含氯的硅氮烷聚合物,其制備方法,由其可制備的含氮化硅陶瓷材料及材料的制備
0040)一種氮化硅非水基流延漿料及其制備方法
0041)蝕刻氮化硅薄膜的設備及方法
0042)可燒結陶瓷粉及其制備方法以及用該陶瓷粉制造的氮化硅陶瓷及其制造方法和用途
0043)制備納米氮化硅粉體的系統
0044)編程硅氧化物氮化物氧化物半導體存儲器件的方法
0045)制造氮化硅粉末的方法
0046)在硅襯底上生長氮化鎵自支撐襯底材料的方法
0047)氮化硅多孔體及其制造方法
0048)氮化硅陶瓷粉末的生產方法
0049)每單元二位與非門氮化硅陷獲存儲器
0050)一種含替加氟和氮雜硅三環的磷酰胺酯化合物
0051)用于高的氮化硅對氧化硅去除速率比率的拋光組合物及方法
0052)無壓燒結高韌性氮化硅基陶瓷材料及其制造方法
0053)低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的方法及設備
0054)硅基氮化物單晶薄膜的外延結構及生長方法
0055)自蔓延高溫合成氮化硅鐵粉末的制備方法
0056)形成高質量的低溫氮化硅膜的方法和設備
0057)聚硅氮烷組合物催化聚合控制方法
0058)一種氮化硅燃燒合成過程中增壓調控的生產方法
0059)供高溫力學量傳感器用的納米多晶硅(*)一種控制STI CMP工藝中殘余氮化硅厚度穩定性的方法
0061)一種形成硅氧氮化物層的方法
0062)含有氮化硅的耐久性硬質涂層
0063)納米非晶原位合成氮化硅晶須
0064)自蔓燃合成法制備高β相氮化硅棒狀晶須的方法
0065)用于金屬硅氮化物、氧化物或氮氧化物的ALD/CVD的Ti、Ta、Hf、Zr及相關金屬硅氨化物
0066)用于氮化硅陶瓷及氮化硅陶瓷基復合材料釬焊的高溫釬料
0067)氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作裝置
0068)采用PECVD由氨基硅烷制備氮化硅
0069)鋁電解槽側墻用氮化硅結合碳化硅耐火磚及其制備方法
0070)一種用于高純粉體分級的氮化硅陶瓷分級葉輪
0071)聚氯硅氮烷,其制備方法,由其制備的含氮化硅陶瓷材料及該材料的制備
0072)用微波技術快速燒結氮化硅結合碳化硅耐火材料的方法
0073)在基片處理過程中選擇性蝕刻氮化硅的系統和方法
0074)一種原位增韌氮化硅基陶瓷及其超快速燒結方法
0075)用于電致發光顯示器的氧氮化硅鈍化的稀土激活硫代鋁酸鹽磷光體
0076)由二氧化硅碳氮共滲制備氮化硅的方法以及無晶須的顆粒氮化硅
0077)含有α(*)一種方鎂石氮化硅復合耐火制品及制備方法
0079)原位自生氮化鋁和鎂二硅增強鎂基復合材料及其制備方法
0080)一種氮化硅透波材料的制備方法
0081)雙管加壓制備氮化硅超細粉的方法
0082)降低氮化硅的濕蝕刻速率的方法
0083)晶須增韌補強氮化硅復相陶瓷刀具材料
0084)在硅襯底上生長碳化硅\氮化鎵材料的方法
0085)淺溝隔離制程的含有氮元素的氧化硅襯層的制造方法
0086)去除硅片背面氮化硅膜的方法
0087)制造氧氮化硅的方法
0088)一種制備螺旋狀氮化硅陶瓷晶須的方法
0089)熒光氮化硅基納米線及其制備方法
0090)使用二(叔丁基氨基)硅烷淀積二氧化硅和氧氮化硅
0091)氮化硅薄膜及其制造方法
0092)一種超薄氮化硅/二氧化硅疊層柵介質的制備方法
0093)一種氮化硅膜的生長方法
0094)高精度熱壓氮化硅陶瓷球軸承及其制造方法
0095)氮化硼(*)氮化硅發熱體及其制造方法
0097)制造氮化硅只讀存儲器的方法
0098)中間包水口用氮化硅結合碳化硅耐火材料
0099)金屬間介質半導體制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅蓋層
0100)硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
0101)一種在硅襯底上生長高質量氮化鋁的方法
0102)一種氮化硅陶瓷顆粒增強鋁基復合材料及其制備方法
0103)化學激勵燃燒合成氮化硅/碳化硅復合粉體的方法
0104)低溫光化學氣相淀積二氧化硅、氮化硅薄膜技術
0105)氧化硅和氧氮化硅的低溫沉積
0106)一種透明β(*)一種β(*)氮化硅錳鐵合金
0109)用于高性能CMOS應用的超薄Hf摻雜氮氧化硅膜及制造方法
0110)利用圖案化金屬結構增加氮化硅表面粘著度的方法
0111)除去氮化硅膜的方法
0112)氮化硼纖維補強反應燒結氮化硅陶瓷
0113)氮化硅只讀存儲單元的位的讀取方法
0114)定義氧化硅/氮化硅/氧化硅介電層的方法
0115)聚合的氫化硅氮烷及其制備方法和由其制備含四氮化三硅的陶瓷材料及其制備方法
0116)氮化硅陶瓷發熱體的微波爐燒結制備方法及專用設備
0117)從氧化硅膜選擇蝕刻氮化硅膜的方法
0118)以氮化硅鎂為燒結助劑的高熱導氮化硅陶瓷的制備方法
0119)氮化硅質蜂窩式過濾器及其制造方法
0120)氮化硅存儲器件及其制造方法
0121)基于碳化硅與氮化硅粘合劑的燒結耐火磚
0122)一種無內圈式熱等靜壓氮化硅全陶瓷球軸承及其制造方法
0123)一種含氮化硅鐵的Al2O3(*)交直流兩用節能防靜電恒溫氮化硅電烙鐵
0125)逆反應燒結制備氮化硅碳化硅復合材料的方法
0126)一種熱等靜壓氮化硅全陶瓷電主軸及其制造方法
0127)氮化硅納米材料的低溫固相反應制備
0128)流化床直接制取氮化硅的裝置及其方法
0129)在硅襯底上采用磁控濺射法制備氮化鋁材料的方法
0130)一種半透明氮化硅陶瓷及其制備方法
0131)酸性無顯影氣相光刻膠及其刻蝕氮化硅的工藝
0132)氮化硅陶瓷發熱體
0133)移除氮化硅層的方法
0134)化學機械拋光二氧化硅和氮化硅的多步方法
0135)用來在不存在氮化硅的條件下進行硅的KOH蝕刻的負性光刻膠
0136)控溫燃燒合成α相氮化硅粉體的方法
0137)新型硅氮烷和/或聚硅氮烷化合物及其制備方法
0138)氮化硅工程陶瓷燒結新工藝
0139)用于選擇性拋光氮化硅層的組合物以及使用該組合物的拋光方法
0140)用于二氧化硅和氮化硅層的可印刷蝕刻介質
0141)氮化硅陶瓷導輪
0142)一種氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制備方法
0143)釬焊氮化硅陶瓷的釬料及以該釬料連接氮化硅陶瓷的方法
0144)流化床直接制取氮化硅的裝置
0145)氮化硅耐磨部件及其制造方法
0146)氮化硅車用電熱杯
0147)一種氮化硅彩虹玻璃及其制備方法
0148)具有保護二極管的氮化硅只讀存儲器結構及其操作方法
0149)氮化硅陶瓷細長工件的生產工藝技術
0150)氮化硅陶瓷及其成型工藝
0151)氮化硅電開水爐
0152)通過應用多再氧化層作為蝕刻終止層以最小化硅凹部的氮化物偏移間隔
0153)常壓燃燒合成氮化硅粉體的方法
0154)一種層狀布料燃燒合成均質氮化硅粉體的方法
0155)具高介電物質的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架構
0156)添加氧化鎂及稀土氧化物的燒結氮化硅陶瓷
0157)硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
0158)一種氮化硅多孔陶瓷及其制備方法
0159)一種多孔氮化硅陶瓷的制備方法
0160)氮化硅粉體α相轉相裝置
0161)采用含鈦有機金屬材料的化學汽相淀積含硅氮化鈦的工藝
0162)一種氮化錳硅合金及其冶煉方法
0163)氮化硅發熱裝置
0164)一種高強度、高韌性的氮化硅陶瓷液相燒結法
0165)在氮化氧化硅層中補償氮的不均勻濃度
0166)二硅化鉬硅鋁氧氮聚合材料復合發熱體及其制備方法
0167)含氮有機硅化合物、其制備方法和處理表面的方法
0168)聚合的氫化硫代硅氮烷及其制備方法,可由其制備的含四氮化三硅陶瓷材料及其制備方
0169)具有鍺化硅材料和受應力氮化硅層的襯底
0170)使用原子層沉積法的氮化硅膜的形成方法
0171)減少在氮離子注入時產生多晶硅化金屬空洞的方法
0172)聚硅氮烷和其制備方法以及可由該聚硅氮烷制得的含四氮化三硅的陶瓷材料和其制備方法
0173)在乏硅環境下使用等離子增強化學氣相沉積制程的金屬柵極的氮氧間隔體的形成方法
0174)氮化硅燒結體及其制造方法
0175)增進氮化硅只讀存儲器的存儲單元保持力的方法
0176)通過碳熱還原制成的陶瓷用氮化硅粉末及其制造工藝
0177)利用溶劑熱反應低溫合成氮化硅納米材料的方法
0178)氮化硅只讀存儲器的制造方法
0179)由硅化鎂燃燒合成氮化硅鎂粉體的制備方法
0180)一種低溫化學氣相沉積制備氮化硅薄膜的方法
0181)一種氮化硅納米線和納米帶的制備方法
0182)一種納米級氮化鈦－氮化硅復合材料的制備方法
0183)碘輔助低溫制備氮化硅納米材料的方法
0184)P型氮化硅只讀存儲器器件的初始化方法
0185)用化學蒸氣沉積技術沉積氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
0186)氮化硅只讀存儲器組件的制造方法
0187)蝕刻氮化硅薄膜的設備及方法
0188)自蔓延高溫合成氮化硅鎂粉體的制備方法
0189)多取代含氯硅氮烷聚合物，其制備方法，由此可制得的含氮化硅的陶瓷材料及其制備
0190)高精度圓形長棒氮化硅陶瓷制造方法
0191)一種珠狀碳化硅或氮化硅納米鏈的制備方法
0192)硅(102)襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜及其制法和用途
0193)氮化硅內存的制造方法
0194)以氮化物作燒結助劑的氮化硅基陶瓷
0195)以聚四氟乙烯為添加劑燃燒合成氮化硅粉體的方法
0196)制備氮雜氧化鈦(*)含氮有機硅化合物、其制備方法和處理表面的方法
0198)釬焊氮化硅陶瓷的釬料及釬焊氮化硅陶瓷的方法
0199)一種自增韌氮化硅陶瓷線材精軋輥材料及其制備方法
0200)氮化硅的模型配件和制造這種模型配件的方法
0201)利用具有氨的超低壓快速熱退火調節氧氮化硅的氮分布曲線
0202)氮化硅膜的沉積制造方法及沉積系統
0203)氮化硅粉末的制造方法及設備
0204)用于對二氧化硅和氮化硅進行化學機械拋光的組合物
0205)在被處理基板上形成硅氮化膜的CVD方法
0206)漏電安全型氮化硅發熱體
0207)制備納米氮化硅粉體的氣相合成裝置
0208)氮化硅膜、半導體器件、顯示器件及制造氮化硅膜的方法
0209)氮化硅粉、其燒結體、基板、及由此的電路板和熱電元件模塊
0210)一種具有薄氮化鉿可協變層的硅基可協變襯底材料
0211)用于制備氮化硅間隔物結構的方法
0212)具有高疲勞壽命的氮化硅軸承球
0213)硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅快閃存儲器及其制作方法
0214)用于二氧化硅和氮化硅層的蝕刻的可印刷介質
0237)一種提高氮化硅陶瓷抗氧化性能的表面改性方法
0247)提高摻氧硅基氮化物薄膜電致發光器件發光效率的方法
0248)高斷裂韌性自增強氮化硅陶瓷及其制備該陶瓷的方法
0249)提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之間粘合強度的方法
0250)氮雜新烷基硫化物和氮雜新硅烷基硫化物、它們的制備方法、含有它們的制劑、以及它們作為殺蟲劑的應用
0251)常壓氮氣保護制備復合功能硅化鈦鍍膜玻璃及其制備方法
0252)晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法
0253)制造氮化硅只讀存儲器的方法
0254)一種造粒燃燒合成氮化硅的生產方法
0255)碳氮化硅酸鹽發光物質
0256)碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法
0257)氮化硅陶瓷點火裝置
0258)具至少一種氮化硅或氧氮化硅基薄層的透明基體及其制法
0259)基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅組件的制造方法
0260)制備氮化硅膜的方法
0261)氮化硅電路板
0262)一種納米氮化硅拋光組合物及其制備方法
0263)一種用于煉鐵高爐的氮化硅剛玉質澆注耐火材料
0264)重燒結氮化硅陶瓷制備方法
0265)一種超高韌性氮化硅基復合材料的制備方法
0266)硅襯底上生長的非極性A面氮化物薄膜及其制法和用途
0267)氮化硅電熱水器
0268)低介電氮化硅膜及其制造方法和半導體器件及其制造工藝
0269)具有含氮原子的單元的硅化合物
0270)用單晶片低壓CVD淀積氧化硅和氮氧化物的方法
0271)氮化硅只讀存儲器的制造方法
0272)硅襯底Ⅲ族氮化物外延生長
0273)用于降低后段處理中紫外線引起的硅(*)用氮化鋁和氮化鋁:碳化硅合金制成的仿真鉆石寶石
0275)氮化硅點火器
0276)反應結合氮化硅體浸漬工藝
0277)形成氮氧化硅的方法
0278)應力被調節的單層氮化硅膜及其沉積方法
0279)氮化硅耐磨部件及其制造方法
0280)等離子體化學氣相法批量生產氮化硅粉體轉相工藝及系統
0281)氮化硅膜、半導體裝置及其制造方法
0282)氮化硅層的形成方法
0283)制備納米氮化硅粉體的氣相合成裝置
0284)高純氮化硅超細粉磨技術
0285)一種生產高強度氮化硅結合碳化硅制品的方法
0286)永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存儲器
0287)平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統
0288)一種選擇性氮氧化硅濕法刻蝕液
0289)硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
0290)用于寬編程的雙金屬/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存儲器單元
0291)一種改性納米氮化硅粉體及其制備方法和用途
0292)氮化硅只讀存儲元件的操作方法
0293)中碳硅釩氮微合金化非調質鋼
0294)形成于碳化硅基板上的氮化鎵膜的剝離方法及使用該方法制造的裝置
0295)制備氮化硅疊層的方法
0296)形成用于CMOS器件的自對準的雙氮化硅襯墊的方法
0297)氮化硅燒結體的制造方法
0298)用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳鍺(SiCGe)襯底
0299)碳氮共摻法制備氮化硅的連續工藝和制得的氮化硅
0300)一種提高氮化硅基陶瓷性能/價格比的方法
0301)用于化學機械拋光氧化硅和氮化硅的組合物和方法
0302)去除氮化硅保護層針孔的方法
0303)自蔓燃無污染快速制備高α相氮化硅粉體的方法
0304)氮化硅涂層鋼領及其制備方法
0305)使用氮化工藝的多晶硅化金屬柵極制程
0306)氮化硅的熱化學氣相沉積
0307)形成高質量的低溫氮化硅層的方法和設備
0308)氮化硅質燒結體及其制造方法,和使用其的耐熔融金屬用構件、耐磨損用構件
0309)用于制備受控應力的氮化硅膜的方法
0310)高韌性氮化硅基陶瓷刀具材料及其制造方法
0311)氮化硅陶瓷、制備它們的硅基組合物以及它們的制備工藝
0312)納米碳化硅－氮化硅復相陶瓷及其制備方法
0313)通過在含氫氣氛中的升華生長減少碳化硅晶體中的氮含量
0314)一種在硅襯底上生長無裂紋Ⅲ族氮化物的方法
0315)包括兩個氮化硅蝕刻步驟的填充隔離槽的雙后撤方法
0316)氮化硅只讀存儲器及其制造方法
0317)氮化硅電荷捕獲存儲器件
0318)通過添加碳降低氮化硅蝕刻速率的方法
0319)硅基可協變襯底上生長三族氮化物的方法
0320)設有環形應力縫的自結合碳化硅、氮化硅結合碳化硅棚板
0321)包含摻入的含聚醚基硅氧烷衍生物和氮雜環的氨基甲酸酯化合物
0322)基于氮化硅鏤空掩模的納米電極制備方法
0323)用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV預處理方法
0324)氮化硅層的制作方法和自對準金屬硅化物層的制作方法
0325)降低第二位效應的氮化硅只讀存儲單元及其制造方法
0326)用電子回旋共振微波等離子體制備超薄氮化硅薄膜
0327)由熱化學氣相沉積制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
0328)一種半導體器件含氮雙柵氧化硅層的制備方法
0329)氮化硅陶瓷連桿襯套及其制備方法
0330)碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導體器件以及硅襯底
0331)一種工業化生產3R,4R(*)具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
0333)氮化硅結合SiC耐火材料及其制造方法
0334)G3級氮化硅球加工工藝
0335)氮化硅陶瓷電路基片及使用該陶瓷基片的半導體器件
0336)含硅(*)快速制備高強度氮化硅(*)半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管
0339)一種含氮化硅鐵的免烘烤鐵溝搗打料
0340)一種氮化硅水基濃懸浮體的制備方法
0341)具有氮化硅(*)疊氮硅烷改性的可濕氣固化的聚烯烴聚合物及其制備方法和用其制備的制品
0343)氮化硅基復合燒結體及其生產方法
0344)一種低壓燃燒合成高α相氮化硅粉體的方法
0345)單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結及其制作方法
0346)形成高質量低溫氮化硅層的方法和設備
0347)新型半石墨化碳氮化硅磚及其制造方法
0348)多晶硅融化摻氮生長微氮硅單晶的方法
0349)氮化硅涂層坩堝
0350)聚合的氫化硫代硅氮烷及其制備方法,可由其制備的含四氮化三硅陶瓷材料及其制備方法
0351)一種磷酸作為添加劑的氮化硅多孔陶瓷材料的制備方法
0352)程控式可控硅降壓變壓器低壓大電流氮化爐供電裝置
0353)碳化硅晶須強韌化氮化硅基陶瓷軋輥材料的制造方法
0354)一種利用硫輔助反應低溫制備氮化硅納米棒的方法
0355)硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
0356)氮化硅/氮化硼復合材料及其制造方法
0357)活塞環表面涂覆氮化硅膜層的方法
0358)控制氮化硅蝕刻槽的裝置與方法
0359)氮化硅和碳化硅一維納米結構及其制備方法
0360)高熱導率氮化硅陶瓷材料及其制備方法
0361)利用流化床技術常壓連續合成氮化硅粉末的方法
0362)制作半導體元件的方法和選擇性蝕刻氮化硅層的方法
0363)一種斷裂韌性高的自增強氮化硅陶瓷及其制備方法
0364)多孔氮化硅陶瓷及其生產方法
0365)反應燒結氮化硅粉技術
0366)一種泡沫氮化硅陶瓷的制備方法
0367)微機械開關低應力氮氧化硅橋膜的制備方法
0368)具有高導熱性的氮化硅燒結體及氮化硅結構部件
0369)一種高熱導氮化硅陶瓷的制備方法
0370)用于有機硅化物玻璃的一氧化二氮去除光刻膠的方法
0371)高性能β－氮化硅晶晶須的制備方法
0372)堿性無顯影氣相光刻膠及其刻蝕氮化硅的工藝
0373)一種氮化硅鐵的微波合成方法
0374)高α(*)用于制造晶體管的低熱預算氮化硅膜及其制備方法
0376)用無壓或低壓氣體燒結法制備的致密自增強氮化硅陶瓷
0377)一種具有高抗氧化性能的氮化硅陶瓷及其制備方法
0378)高致密氮化硅反應燒結體的快速制備方法
0379)帶有氮化硅陶瓷葉輪、導葉的注水泵及其制作方法
0380)交直流兩用節能防靜電恒溫氮化硅電烙鐵
0381)高熱導率、高強度氮化硅陶瓷制造方法
0382)聚硅氮烷組合物以及具有該固化材料的涂覆成形制品
0383)等離子體化學氣相法制備高α相氮化硅粉體的工藝
0384)氮化硅只讀存儲器及其制造方法
0385)半導體集成電路硅單晶片襯底背面氮化硅層的新腐蝕方法
0386)一種微氮低氧化碳直拉硅單晶的制備方法
0387)含四氮化三硅的陶瓷材料和其制備方法
0388)利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
0389)氮化硅的化學氣相沉積方法
0390)自適應柔性層制備無裂紋硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
0391)氮化硅(*)化學機械拋光二氧化硅和氮化硅的組合物和方法
0393)高強度、低介電常數的二氧化硅結合的氮化硅多孔陶瓷及制備方法
0394)氮化硅電梯安全制動器
0395)使用具有基于氧化硅和氧化鈦的載體的催化組合物處理氣體以減少氮氧化物排放的方法
0396)熱穩定、可濕固化的聚硅氮烷和聚硅氧氮烷
0397)一種氮化硅納米線的制備方法
0398)借由控制膜層生成前驅物來控制所沉積氮化硅膜的性質及均一性的方法
0399)一種氮化鋁增強碳化硅陶瓷及其制備方法
0400)控溫活化自蔓延燃燒合成α相氮化硅粉體的方法
0401)氮化硅發熱體以及其無壓低溫燒結制備方法
0402)多弧離子鍍鈦鋁鉻硅釔氮化物多組元超硬反應膜的制備方法
0403)導電性氮化硅復合燒結體及其制備方法
0404)在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法
0405)一種中空式環狀布料燃燒合成均質氮化硅粉體的方法
0406)碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件
0407)氮氧化硅膜的形成方法、形成裝置以及程序
0408)采用納米碳管模板法制備氮化硅納米絲的方法
0409)具有結晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導體結構
0410)以氮化鋁為絕緣埋層的絕緣體上的硅材料制備方法
0411)一種自增強氮化硅陶瓷體及其制備方法
0412)在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法
0413)防止天線效應的氮化硅只讀存儲器組件的結構
0414)立方氮化硅材料的沖擊波合成方法及合成裝置
0415)一種去除硅片背面氮化硅的方法
0416)高致密、低氣孔率氮化硅(*)化學機械拋光氧化硅和氮化硅的組合物與方法
0418)一種氮化硅/氮化鈦納米復合材料的制備方法
0419)通過循環沉積制備金屬硅氮化物薄膜的方法
0420)提高超薄等離子體氮氧化硅電性測試準確性的方法
0421)高耐磨性高韌性氮化硅基陶瓷刀具材料
0422)一種半導體器件含氮柵氧化硅層結構及其制造工藝
0423)超薄氮化硅/氧化硅柵極介電層的制造方法
0424)處理包含含氧氮化硅介質層的半導體器件的方法
0425)作為氫化硅烷化催化劑的三氮烯氧化物——過渡金屬配合物
0426)氮化硅陶瓷及其制備工藝
0427)一種制造高純度超細氮化硅的方法及設備
0428)氮化鋁、碳化硅及氮化鋁∶碳化硅合金塊狀單晶的制備方法
0429)貴金屬負載介孔氮氧化硅復合催化劑及其制備方法
0430)具有厚氧化硅和氮化硅鈍化層的光電池及其制造方法
0431)氮化硅層的制造方法及半導體元件的制造方法
0432)氮化硅與碳化硅制造熱鍍鋅槽的方法
0433)復合稀土硅/鋁氮氧化物透紅外材料及其制備方法
0434)摻氧硅基氮化物薄膜黃綠波段發光二極管及制備方法
0435)在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法
0436)半石墨化碳氮化硅材料及其生產方法
0437)無氧溶膠(*)膠態成型制備氮化硅耐磨陶瓷的優化設計方法
0439)聚氫化氯硅氮烷、其制備方法、由其制備的含氮化硅的陶瓷材料及其制備
0440)多階氮化硅只讀記憶胞的程序化方法
0441)氮化硅結合碳化硅材料作側襯磚的鋁電解槽
0442)一種氮化硅陶瓷部件的微加工方法
0443)原子層沉積形成氮化硅氧化阻擋層的方法
0444)高熱導率氮化硅電路襯底和使用它的半導體器件
0445)低應力超厚氮硅化合物薄膜沉積方法
0446)摻雜氮化硅薄膜的低溫沉積方法及裝置
0447)碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
0448)無氧溶膠(*)氮化硅納米線和納米帶粉體材料的制備方法
0450)氮化硅基復合材料燃燒合成方法
0451)用來改變氧化硅和氮化硅膜的介電性能的有機硅烷化合物
0452)一種低溫制備氮化硅粉體材料的方法
0453)在高介電常數的介電材料上的硅的氮氧化物層的形成
0454)一種氮化硅多孔陶瓷組方及制備方法
0455)高強度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制備方法
0456)基于氮化鋁緩沖層的硅基3C(*)工字型氮化硅結合碳化硅橫梁
0458)氮化硅只讀存儲器的制造方法
0459)一種金屬與玻璃封接的氮化硅模具和模具的制造方法



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