氮化物半導(dǎo)體技術(shù)資料-半導(dǎo)體-缺陷氮化物半導(dǎo)體-光電半導(dǎo)體-氮化合物半導(dǎo)體-用氮化物襯底類資料（268元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：268元；資料（光盤）編號：F150128
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《氮化物半導(dǎo)體資料》包括專利技術(shù)全文資料419份。
0001)使用氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光器件和其制造方法

0011)一種Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料及其生長方法
0012)氮化物半導(dǎo)體器件制造方法
0013)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0014)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體襯底及其生產(chǎn)工藝
0015)Ⅲ族元素氮化物結(jié)晶半導(dǎo)體器件
0016)制造第III族元素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導(dǎo)體元件
0017)雙金屬氧化物(*)發(fā)光裝置、用于制造該發(fā)光裝置的方法及氮化物半導(dǎo)體襯底
0019)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0020)編程硅氧化物氮化物氧化物半導(dǎo)體存儲器件的方法
0021)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0022)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法
0023)氮化物半導(dǎo)體襯底及其制造方法
0024)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0025)氮化物半導(dǎo)體元件
0026)氮化物半導(dǎo)體及其制備方法
0027)I I I族氮化物半導(dǎo)體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導(dǎo)體、基于氧化鎵的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件、以及使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的光源
0028)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件以及氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法
0029)蝕刻金屬氧化物半導(dǎo)體柵極構(gòu)造的氮氧化方法
0030)氮化物半導(dǎo)體元器件
0031)氮化鎵系列化合物半導(dǎo)體元件
0032)Ⅲ族氮化物基化合物半導(dǎo)體器件
0033)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0034)有關(guān)氮化鎵的化合物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0035)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0036)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件及其制作方法
0037)氮化物基的半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0038)在Ⅲ(*)氮化鎵類化合物半導(dǎo)體裝置
0040)氮化物半導(dǎo)體器件
0041)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導(dǎo)體激光元件
0042)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0043)氮化物半導(dǎo)體基板及其制造方法
0044)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0045)利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導(dǎo)體元件制成方法
0046)氮化物半導(dǎo)體光發(fā)射裝置及其制造方法
0047)Ⅲ(*)含P型三族氮化合物半導(dǎo)體的光電半導(dǎo)體元件的制造方法
0049)氮化物系半導(dǎo)體激光元件
0050)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其窗戶層結(jié)構(gòu)
0051)氮化物半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
0052)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0053)氮化物半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
0054)氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法
0055)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體，半導(dǎo)體器件及其制造方法
0057)氮化物系化合物半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體的清洗方法、這些半導(dǎo)體的制造方法及基板
0058)可以識別表里的矩形氮化物半導(dǎo)體基片
0059)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片及其制造方法
0060)氮化物半導(dǎo)體激光器芯片及其制造方法
0061)氮化物半導(dǎo)體元件
0062)半導(dǎo)體發(fā)光器件和氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0063)氮化物系半導(dǎo)體發(fā)光元件
0064)氮化物基半導(dǎo)體裝置的制造方法
0065)氮化鎵類化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0066)一種用于雙金屬氧化物(*)Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導(dǎo)體器件
0068)基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0069)氮化物系半導(dǎo)體元件的制造方法及氮化物系半導(dǎo)體元件
0070)基于Ⅲ族氮化物的半導(dǎo)體基片及其制造方法
0071)氮化物半導(dǎo)體LED和其制造方法
0072)氮化物半導(dǎo)體元件
0073)氮化物半導(dǎo)體材料及氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶的制造方法
0074)氮化物半導(dǎo)體器件
0075)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置制造方法
0076)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的外延結(jié)構(gòu)及其制作方法
0077)具有電流狹窄層的氮化物半導(dǎo)體激光器元件及其制造方法
0078)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0079)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0080)氮化鎵類化合物半導(dǎo)體等的干法刻蝕方法
0081)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體元器件
0083)氮化物半導(dǎo)體基板及制法和使用該基板的氮化物半導(dǎo)體裝置
0084)自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法
0085)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0086)氮化物系半導(dǎo)體元件及其制造方法
0087)第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0088)Ⅲ族氮化物晶體、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶體襯底及半導(dǎo)體器件
0089)氮化物半導(dǎo)體元件制造方法
0090)III－V氮化物半導(dǎo)體激光器件
0091)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0092)具三族氮化合物半導(dǎo)體緩沖層的光電半導(dǎo)體組件和其制造方法
0093)氮化物類半導(dǎo)體元件
0094)基于Ⅲ－氮化物半導(dǎo)體超晶格的單極發(fā)光器件
0095)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0096)氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法
0097)氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法
0098)Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體的生長方法及氣相生長裝置
0099)氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法
0100)生產(chǎn)第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法
0101)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0102)氮化物類半導(dǎo)體元件及其制造方法
0103)制作氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
0104)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件
0105)反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0106)具有埋設(shè)金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導(dǎo)體裝置
0107)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體基板
0108)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0109)GaN基底和其制備方法、氮化物半導(dǎo)體器件和其制備方法
0110)第13族金屬氮化物結(jié)晶的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造方法和這些制造方法中使用的溶液和熔融液
0111)氮化物半導(dǎo)體外延層的生長方法
0112)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
0113)用于n型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的n型歐姆電極、具有該電極的半導(dǎo)體發(fā)光器件及用于形成n型歐姆電極的方法
0114)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件和制備氮化物半導(dǎo)體激光器的方法
0115)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0116)Ⅲ(*)制造Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體元件的方法
0118)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0119)氮化鎵基Ⅲ(*)制造Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的方法
0121)制備Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的方法及Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件
0122)雙金屬氧化物(*)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0124)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0125)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件及其制作方法
0126)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0127)氮化物半導(dǎo)體器件的肖特基電極及其制作方法
0128)用于第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的n(*)氧化鎵單晶復(fù)合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復(fù)合體的氮化物半導(dǎo)體膜的制造方法
0130)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件和外延襯底
0131)Ⅲ族氮化物制造的半導(dǎo)體襯底及其制造工藝
0132)利用第三族氮化物四元金屬體系的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0133)Ⅲ(*)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0135)非極性單晶A(*)低缺陷氮化物半導(dǎo)體薄膜及其生長方法
0137)氮化物半導(dǎo)體裝置及其制作方法
0138)以氮化物為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0139)氮化合物系半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0140)氮化物半導(dǎo)體器件
0141)氮化物半導(dǎo)體元件
0142)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)
0143)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0144)具有定向平面的單晶A(*)氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法和氮化物半導(dǎo)體基板的制造方法
0146)表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導(dǎo)體器件和制造方法
0147)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0148)生產(chǎn)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體裝置的方法
0149)具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導(dǎo)體器件
0150)氮化物半導(dǎo)體自支撐襯底和氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0151)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件
0152)Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體的制造方法及半導(dǎo)體器件的制造方法
0154)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法
0155)第三族氮化物半導(dǎo)體器件和其生產(chǎn)方法
0156)氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法和氮化物半導(dǎo)體元件
0157)立方晶體氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0158)氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法
0159)氮化物半導(dǎo)體元件
0160)具有結(jié)晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0161)氮化物半導(dǎo)體元件及其制法
0162)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0163)第III族氮化物半導(dǎo)體激光器及其制造方法
0164)氮化物半導(dǎo)體激光器件
0165)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法
0166)加工氮化物半導(dǎo)體晶體的方法
0167)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法
0168)氮化物半導(dǎo)體激光器
0169)氮化鎵(GaN)類化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0170)氮化物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0171)氮化物半導(dǎo)體器件的制造方法及氮化物半導(dǎo)體器件
0172)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)及其制造方法
0173)III族氮化物半導(dǎo)體器件
0174)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0175)氮化鎵系Ⅲ(*)制備III族氮化物半導(dǎo)體的方法及III族氮化物半導(dǎo)體器件
0177)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0178)制造氮化物半導(dǎo)體的裝置和方法及獲得的半導(dǎo)體激光器件
0179)氮化物半導(dǎo)體元件
0180)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0181)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延晶片
0182)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置制造方法
0183)加工氮化物半導(dǎo)體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導(dǎo)體晶體
0184)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0185)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0186)氮化物半導(dǎo)體激光器件
0187)晶片導(dǎo)向器,MOCVD裝置和氮化物半導(dǎo)體生長方法
0188)氮化物半導(dǎo)體器件
0189)氮化物半導(dǎo)體的生長方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法
0190)氮化物半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
0191)氮化物系半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0192)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0193)一種氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物系半導(dǎo)體元件及其制造方法
0217)制造p(*)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0227)P型氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及雙極晶體管
0228)氮化物半導(dǎo)體元件和氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶層的生長方法
0229)氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法及復(fù)合材料襯底
0230)氮化物半導(dǎo)體，半導(dǎo)體器件及其制造方法
0231)基于氮化物的半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0232)氮化物半導(dǎo)體器件
0233)復(fù)合氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外延成長
0234)氮化物半導(dǎo)體生長工藝
0235)氮化物基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法
0236)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0237)氮化物半導(dǎo)體元件
0238)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置
0239)一種非結(jié)晶與多晶結(jié)構(gòu)的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的成長方法
0240)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0241)氮化物類半導(dǎo)體元件的制造方法
0242)氮化物半導(dǎo)體的生長方法、氮化物半導(dǎo)體襯底及器件
0243)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
0244)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
0245)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物類半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0247)氮化物半導(dǎo)體的生長方法、氮化物半導(dǎo)體襯底及器件
0248)自激振蕩型氮化物半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法
0249)氮化物半導(dǎo)體元件
0250)氮化物半導(dǎo)體器件及其制備方法
0251)氮化物半導(dǎo)體；使用該半導(dǎo)體的發(fā)光器件,發(fā)光二極管,激光器件和燈；及其制造方法
0252)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法
0253)在硅底材上成長三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)的方法
0254)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0255)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件以及氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法
0256)氮化物半導(dǎo)體元件和其制造方法
0257)氮化鎵及其化合物半導(dǎo)體的橫向外延生長方法
0258)氮化物半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
0259)用于氮化物基半導(dǎo)體裝置的低摻雜層
0260)Ⅲ族氮化合物半導(dǎo)體器件
0261)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體襯底
0262)氮化物半導(dǎo)體激光元件
0263)氮化物半導(dǎo)體器件
0264)用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體器件
0265)氮化物基半導(dǎo)體器件及其制造方法
0266)氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法
0267)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0268)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0269)生長半導(dǎo)體襯底的方法、氮化物基發(fā)光器件及其制造方法
0270)鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)鐵電半導(dǎo)體薄膜制備方法及應(yīng)用
0271)第3(*)硅氧化物氮化物氧化物半導(dǎo)體型存儲器件
0273)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0274)氮化物半導(dǎo)體激光器件及其制造方法
0275)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法
0276)氮化物半導(dǎo)體激光二極管及其制作方法
0277)晶態(tài)氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導(dǎo)體器件
0278)氮化物半導(dǎo)體元器件
0279)Ⅲ(*)Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體元件
0281)第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件
0282)氮化物半導(dǎo)體器件
0283)氮化物半導(dǎo)體、其制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件
0284)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)及其制造方法
0285)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0286)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0287)氮化物半導(dǎo)體LED及其制造方法
0288)氮化物系半導(dǎo)體元件
0289)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0290)第三族氮化物半導(dǎo)體器件和其生產(chǎn)方法
0291)氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0292)氮化物半導(dǎo)體激光器元件及其制作方法
0293)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法以及發(fā)光器件
0294)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0295)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法
0296)氮化物半導(dǎo)體元件
0297)具有減少相分離、利用第三族氮化物四元金屬體系的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法
0298)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0300)Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件
0301)氮化物半導(dǎo)體基板及其制造方法
0302)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0303)氮化物半導(dǎo)體激光裝置以及提高其功能的方法
0304)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0305)使用氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光器件和其制造方法
0306)氮化物半導(dǎo)體器件
0307)基于氮化物的半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0308)氮化鎵基半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)、其制造方法以及采用該層疊結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體和發(fā)光器件
0309)氮化物系化合物半導(dǎo)體元件的制造方法
0310)氮化物半導(dǎo)體元器件
0311)氮化物系半導(dǎo)體襯底及半導(dǎo)體裝置
0312)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0315)基板檢查方法及裝置、氮化物半導(dǎo)體元件制造方法及裝置
0316)基于平面結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制備方法
0317)氮化物基化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0318)具有氮化氧化物層的半導(dǎo)體器件及其方法
0319)周期表第13族金屬氮化物結(jié)晶的制造方法以及使用其的半導(dǎo)體器件的制造方法
0320)氮化物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0321)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0322)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0323)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體激光元件和氮化物半導(dǎo)體元件
0325)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的磊晶結(jié)構(gòu)及其制作方法
0326)具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0328)氮化物半導(dǎo)體光發(fā)射器件及其制造方法
0329)氮化物半導(dǎo)體元器件
0330)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0331)高速大功率氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0332)自鈍化非平面結(jié)三族氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0333)氮化鎵化合物半導(dǎo)體制造方法
0334)半導(dǎo)體工藝設(shè)備的碳氮化物涂層部件及其制造方法
0335)單一ELOG生長的橫向P(*)第III族氮化物系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0337)氮化物系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0338)氮化物半導(dǎo)體裝置
0339)氮化物半導(dǎo)體元器件
0340)氮化物半導(dǎo)體襯底及器件
0341)氮化物半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
0342)氮化物半導(dǎo)體元器件
0343)高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體薄膜及其制作方法
0344)氮化物半導(dǎo)體元件
0345)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0346)氮化物系半導(dǎo)體發(fā)光元件
0347)形成第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件用的電極的方法
0348)制造氮化物基半導(dǎo)體器件的方法和如此制造的發(fā)光器件
0349)氮化物基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0350)氮化物半導(dǎo)體元件
0351)一種氮化物半導(dǎo)體器件
0352)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0353)氮化物系半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0354)氮化物半導(dǎo)體及其制備方法
0355)利用硼離子注入法實現(xiàn)氮化物半導(dǎo)體器件的有源區(qū)之間隔離的方法
0356)氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
0357)含有Ⅲ族元素基氮化物半導(dǎo)體的電子器件
0358)倒裝型氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0359)發(fā)光氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0360)基于氮化物的半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0361)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件和外延襯底
0362)粘貼有Ⅲ(*)氮化物類半導(dǎo)體元件及其制造方法
0364)倒裝芯片氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0365)氮化物半導(dǎo)體生長用襯底
0366)Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體的制造方法
0367)氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0368)第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0369)用于形成第Ⅲ主族氮化物半導(dǎo)體層的方法以及半導(dǎo)體器件
0370)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件和外延襯底
0371)氮化物系半導(dǎo)體襯底及其制造方法
0372)摻氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的成膜方法
0373)氮化物半導(dǎo)體激光器元件
0374)氧氮化物磷光體和半導(dǎo)體發(fā)光器件
0375)氮化物半導(dǎo)體元件
0376)含有Ga的氮化物半導(dǎo)體單晶、其制造方法以及使用該結(jié)晶的基片和器件
0377)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的透明電極及其制法
0378)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法
0379)氮化物半導(dǎo)體元件
0380)氮化物半導(dǎo)體襯底、其制法及氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件用外延襯底
0381)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0382)氮化物半導(dǎo)體襯底和氮化物半導(dǎo)體襯底的加工方法
0383)氮化物半導(dǎo)體激光器件及其制造方法
0384)氮化物半導(dǎo)體薄膜及其生長方法
0385)氮化物半導(dǎo)體激光器裝置及其制造方法
0386)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件
0387)氮化鎵系Ⅲ(*)具有多層緩沖層結(jié)構(gòu)的氮化物型半導(dǎo)體元件及其制造方法
0389)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0390)Ⅲ族類氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0391)N型Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)
0392)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0393)氮化物半導(dǎo)體元件
0394)氮化物半導(dǎo)體垂直腔面發(fā)射激光器
0395)基于氮化物的半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法
0396)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物半導(dǎo)體器件及其制備方法
0398)氮化物類半導(dǎo)體元件
0399)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置
0400)氮化物基化合物半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
0401)第Ⅲ族元素氮化物半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)方法
0402)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0403)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置
0404)Ⅲ族氮化物系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0405)氮化物半導(dǎo)體襯底和氮化物半導(dǎo)體襯底的制造方法
0406)氮化物半導(dǎo)體激光器
0407)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0408)氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0409)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及氮化物半導(dǎo)體激光元件的制造方法
0410)具有支持襯底的氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0411)氮化物基半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
0412)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0413)氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
0414)氮化物系半導(dǎo)體元件的制造方法
0415)氮化物半導(dǎo)體元件
0416)用于形成第Ⅲ主族氮化物半導(dǎo)體層的方法以及半導(dǎo)體器件
0417)氮化物半導(dǎo)體元件
0418)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件
0419)Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導(dǎo)體基板及其評價方法



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