鎵技術資料-砷化鎵芯片-襯底氮化鎵-氮化物氮化鎵-制作氮化鎵-控制氮化鎵類資料（398元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：398元；資料（光盤）編號：F150269
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《鎵資料》包括專利技術全文資料694份。
0001)一種用于砷化鎵晶片的精拋液

0011)銦砷/鎵砷量子點的分子束外延生長方法
0012)用于氮化鎵外延生長的襯底材料及制備方法
0013)鋁鎵銦砷多量子阱超輻射發光二極管
0014)銦鎵氮外延薄膜及生長方法和在太陽能電池的應用
0015)樹葉脈絡形大功率氮化鎵基發光二極管芯片的P、N電極
0016)砷化鎵表面微波放電鈍化膜的自體生長方法
0017)一種具有MFI結構含鎵沸石的制備方法
0018)通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
0019)混合有機鎵源選擇區域生長銦鎵砷磷多量子阱的方法
0020)基于氮化鎵的發光二極管及其制造方法
0021)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0022)在硅襯底上生長氮化鎵自支撐襯底材料的方法
0023)一種用于砷化鎵單晶生長的光學測徑裝置
0024)一種氮化鎵基小芯片LED陣列結構及制備方法
0025)一種吸附鎵專用螯合樹脂及制備方法
0026)一種氮化鎵系發光二極管結構及其制造方法
0027)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0028)利用浸漬吸附樹脂從拜耳液中提取鎵
0029)銦鎵砷紅外探測器
0030)利用銦鎵氮發光二極管作為紅外目標信號探測的成像裝置
0031)生長氮化鎵晶體的方法
0032)一種多層結構絕緣層上鎵化硅材料及制備方法
0033)磷酸三鎵晶體的助熔劑生長法
0034)降低磷化鎵單晶尾部位錯的方法
0035)一種含鎵礦物中鎵的提取方法
0036)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法
0037)氮化鎵系發光二極管
0038)氮化鎵系Ⅲ(*)砷化鎵/銻化鎵迭層聚光太陽電池的制作方法
0040)一種砷化銦、砷化鎵的化學還原制備方法
0041)銅銦鎵硒太陽電池窗口層沉積的一種新方法
0042)一種銦鎵共摻的低阻P型二氧化錫薄膜材料及其制造方法
0043)含鎵煙塵的處理方法
0044)一種鈷鎳鐵鎵形狀記憶合金材料
0045)非破壞性定量檢測砷化鎵單晶化學配比的方法
0046)含鎵氮化物塊狀單結晶在異質基板上的形成法
0047)改進氫化物氣相外延生長氮化鎵結晶膜表面質量的方法
0048)高純氧化鎵的制備方法
0049)一種氮化鎵基大管芯發光二極管
0050)鎵酸鋰晶體的制備方法
0051)一種氯化鎵的制備方法
0052)一種用于氮化鎵外延生長的新型藍寶石襯底
0053)具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
0054)用萃取(*)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0056)堿金屬鑭鉍鎵酸鹽紅外光學玻璃及其制備方法
0057)雙異質結構氮化鎵基高電子遷移率晶體管結構及制作方法
0058)雙摻鉻釹釓鎵石榴石自調Q激光晶體的生長方法
0059)制做氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的方法
0060)通過部分凝固提純鎵的方法
0061)氮化鎵系發光二極管的構造
0062)摻雜稀土的鎵鍺鉍鉛發光玻璃材料及其制備方法和應用
0063)一種鎵摻雜氧化鋅透明導電膜的制備方法
0064)抗靜電氮化鎵發光器件及其制造方法
0065)低溫生長砷化鎵式半導體可飽和吸收鏡
0066)通過掩模用橫向過生長來制備氮化鎵襯底以及由此制備的器件
0067)一種采用自催化模式制備帶尖氮化鎵錐形棒的方法
0068)銦鎵砷光電探測器芯片制作的箱式鋅擴散方法
0069)砷化鎵晶片的激光加工方法
0070)倒裝焊技術制作氮化鎵基發光二極管管芯的方法
0071)一種砷化鎵單片微波集成電路功率放大器熱沉的制作方法
0072)摻鐿釓鎵石榴石平面光波導的制備方法
0073)一種用于砷化鎵單晶生長光學測徑的方法
0074)制備氮化鎵單晶薄膜材料的裝置及方法
0075)一種從含鎵渣中提取鎵的方法
0076)高亮度氮化鎵基發光二極管外延片的襯底處理方法
0077)氮化鎵基圓盤式單色光源列陣
0078)鑭系鎂混合鎵酸鹽和使用該鎵酸鹽單晶的激光器
0079)砷化鎵及其器件表面鈍化保護膜的制備方法
0080)氮化鎵基Ⅲ(*)提高氮化鎵光導型紫外光電探測器響應度方法及探測器
0082)氮化鎵類化合物半導體裝置
0083)高速砷化鎵基復合溝道應變高電子遷移率晶體管材料
0084)雙色銦鎵砷紅外探測器及其制備方法和應用
0085)α(*)采用金屬鍵合工藝實現氮化鎵發光二極管垂直結構的方法
0087)氮化鎵系發光二極管的制作方法
0088)從水溶液中沉淀鎵
0089)氮化鎵層的制備方法
0090)含有金鍺鎳的歐姆電極、銦鎵鋁氮半導體發光元件及制造方法
0091)具有低電流集邊效應的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管及其制備方法
0092)砷化鎵腦血流量三維成像儀
0093)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0094)絕緣柵鋁鎵氮化物/氮化鉀高電子遷移率晶體管(HEMT)
0095)用于中溫燃料電池的摻雜鎵酸鑭－無機鹽復合凝聚態電解質
0096)氮化鎵基肖特基結構紫外探測器及制作方法
0097)氮化鎵半導體激光器
0098)無氧三烷基鎵的制備方法
0099)氮化鎵系Ⅲ(*)納米氧化鈰的制備方法及其在砷化鎵晶片化學機械拋光中的用途
0101)砷化鎵基1.5微米量子阱結構及其外延生長方法
0102)砷化鎵/空氣型可調諧濾波器及制作方法
0103)氮化鎵系發光二極管及其制造方法
0104)低開啟電壓砷化鎵基新結構異質結雙極晶體管結構設計
0105)氮化鎵單晶的生長方法和氮化鎵單晶
0106)一種鎵含量的測定方法
0107)使用基于堿土金屬硫代鎵酸鹽的高效磷光體的方法及裝置
0108)一種砷化鎵PIN二極管及其制作方法
0109)無掩膜橫向外延生長高質量氮化鎵
0110)用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0111)銦鎵氮p(*)磷化鎵發光二極管
0113)導電的非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0114)氮化鎵系發光二極管的結構及其制作方法
0115)6英寸半絕緣砷化鎵中EL2濃度的測量方法
0116)銦鎵砷焦平面探測器的列陣微臺面的制備方法
0117)氮化鎵基發光二極管指示筆
0118)砷化鎵基量子級聯半導體激光器材料及生長方法
0119)一種氮化鎵基發光二極管外延片結構及其制備方法
0120)可調諧能量和脈沖頻率的運動圖形砷化鎵激光弱視矯治儀
0121)氮化鎵基紅外(*)氮化鎵基發光二極管P、N型層歐姆接觸電極及其制法
0123)基于鎵摻雜Ga3Sb8Te1相變存儲單元及其制備方法
0124)多倍頻程砷化鎵微波單片集成反射型開關
0125)P型氮化鎵電極的制備方法
0126)適用于高速砷化鎵基器件歐姆接觸的金屬合金系統
0127)含鎵和稀土鈰的無鎘銀釬料
0128)氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
0129)氮化鎵高電子遷移率晶體管的結構及制作方法
0130)氮化鎵層的制備方法
0131)具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
0132)使用含鎵開關材料的液態金屬開關
0133)氮化鎵基發光二極管N型層歐姆接觸電極的制作方法
0134)利用倒裝焊技術制作氮化鎵基發光二極管管芯的方法
0135)新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管及其生產工藝
0136)準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
0137)含去甲基斑蝥酸根(DCA)的銅(Ⅱ)、鎵(Ⅲ)及稀土離子(Ln3+)混配配合物ML(DCA)
0138)一種在砷化鎵襯底上外延生長銻化鎵的方法
0139)摻雜鈣鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途
0140)氮化鎵基肖特基勢壘高度增強型紫外探測器及制作方法
0141)一種砷化鎵單片微波集成電路的可靠性評估方法
0142)背照射銦鎵砷微臺面線列或面陣探測器芯片及制備工藝
0143)采用干法刻蝕制備氮化鎵納米線陣列的方法
0144)長波長砷化銦/砷化鎵量子點材料
0145)一種提高氮化鎵基LED芯片抗靜電能力的外延片生長方法
0146)富鎵氮化鎵薄膜的制造方法
0147)膜沉積第Ⅲ族氮化物如氮化鎵的方法
0148)摻有銻、鎵或鉍的半導體器件及其制造方法
0149)磷化鎵液相外延裝置
0150)硅酸鎵鑭晶體的坩堝下降法生長技術
0151)銦鎵磷增強/耗盡型應變高電子遷移率晶體管材料結構
0152)一種砷化鎵基半導體(*)鎵極性氮化鎵緩沖層的生長方法
0154)氮化鎵基光子晶體激光二極管
0155)提高鋁酸鋰和鎵酸鋰晶片表層晶格完整性的方法
0156)多倍頻程砷化鎵微波單片數字、模擬移相器
0157)在硅襯底上生長碳化硅\氮化鎵材料的方法
0158)一種氮化鎵發光二極管管芯及其制造方法
0159)通過氣相外延法制造具有低缺陷密度的氮化鎵膜的方法
0160)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化鎵表面低損傷蝕刻
0162)氮化鎵HEMT器件表面鈍化及提高器件擊穿電壓的工藝
0163)一種硅酸鎵鋇鈮晶體及其制備方法和用途
0164)諧振腔增強的n型砷化鎵遠紅外探測器的反射鏡
0165)基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
0166)氮化鎵基共振腔增強型紫外光電探測器及制備方法
0167)帶有氮化鎵有源層的雙異質結發光二極管
0168)氮化鎵二極管裝置的緩沖層結構
0169)從液相外延廢液中回收高純金屬鎵工藝方法
0170)紫外雙波段氮化鎵探測器
0171)利用倒裝焊技術制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0172)氮化鎵紫外探測器
0173)大功率氮化鎵基發光二極管的制作方法
0174)多元共蒸發制備銦鎵銻類多晶薄膜的方法
0175)具有低溫成長低電阻值P型接觸層的氮化鎵系發光二極管
0176)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發光器件的方法
0177)鎵銦砷(GaInAs)橫向光電晶體管及其集成技術
0178)一種檢測氮化鎵基發光二極管質量優劣的方法
0179)砷化鎵基復合收集區彈道傳輸異質結雙極晶體管
0180)含鎵和/或銦的硫化砷鍺玻璃
0181)強堿性鋁酸鈉溶液中萃取提鎵工藝
0182)寬光譜砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點材料生長方法
0183)制造氮化鎵半導體發光器件的方法
0184)氮化鎵基發光二極管管芯的制作方法
0185)鈰和至少一種選自稀土、過渡金屬、鋁、鎵和鋯的其它元素的化合物的膠態水分散體及其制備方法和用途
0186)含有碳基襯底的銦鎵鋁氮發光器件以及其制造方法
0187)氮化鎵基藍光發光二極管芯片的制造方法
0188)往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
0189)一種鎵提純電解廢液的凈化處理方法
0190)晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
0191)一種利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
0192)含鎵氧化鋅
0193)制備摻釹釓鎵石榴石納米粉的凝膠燃燒合成方法
0194)柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池及其制備方法
0195)碳分母液中金屬鎵回收后不溶渣處理工藝
0196)氮化鎵熒光體及其制造方法
0197)不對稱的脊形氮化鎵基半導體激光器及其制作方法
0198)含晶格參數改變元素的氮化鎵器件襯底
0199)在β三氧化二鎵襯底上生長InGaN/GaN量子阱L ED器件結構的方法
0200)氮化鎵基發光二極管芯片及其制造方法
0201)一種檢測氮化鎵基半導體發光二極管結溫的方法
0202)氮化鎵系垂直發光二極管結構及其基材與薄膜分離的方法
0203)反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
0204)一種冷卻金屬鎵靶中頻孿生磁控濺射裝置
0205)磷化鎵綠色發光器件
0206)氮化鎵系發光二極管結構
0207)含堿金屬、鎵或銦的硫屬化合物晶體的生長方法
0208)金屬鎵電解生產中電解原液的脫釩方法
0209)氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的金屬插入層及制備方法
0210)添加硅的砷化鎵單結晶基板
0211)一種制作氮化鎵發光二極管芯片N電極的方法
0212)氮化鎵晶體的制造方法
0213)氮化鎵薄膜外延生長結構及方法
0214)一種制造變異勢壘氮化鎵場效應管的方法
0215)一種外延生長用藍寶石襯底的鎵原子清洗的方法
0216)改進的制備自支撐氮化鎵襯底的激光剝離的方法
0217)氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
0218)磷化鎵液相外延方法及裝置
0219)一種砷化鎵晶片清洗方法
0220)無磁場測量稀磁半導體鎵錳砷鐵磁轉變溫度的方法
0221)無可見光干擾讀出電路的氮化鎵基探測器及制備方法
0222)銦鎵氮單晶薄膜金屬有機物氣相外延生長技術
0223)砷化鎵基增強/耗盡型應變高電子遷移率晶體管材料結構
0224)三甲基鎵、其制造方法以及從該三甲基鎵成長的氮化鎵薄膜
0225)氮化鎵基化合物半導體器件
0226)一種氮化鎵基大管芯發光二極管及其制備方法
0227)一種用溶膠凝膠法制備氮化鎵納米晶體的方法
0228)激光剝離制備自支撐氮化鎵襯底的方法
0229)氮化鎵外延層的制造方法
0230)一種制造氮化鎵發光二極管芯片的工藝方法
0231)氮化鎵基Ⅲ(*)銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽能電池吸收層的制備方法
0233)一種氮化鎵系Ⅲ(*)陶瓷靶，由氧化鋅、鎵和硼構成的薄膜以及該薄膜的制備方法
0235)鎵在硅臺面管生產中的應用技術
0236)一種銅錳鎵鍺精密電阻合金
0237)適用于氮化鎵器件的鈦/鋁/鈦/鉑/金歐姆接觸系統
0238)用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0239)一種從氧化鋁生產的分解母液中提取鎵的方法
0240)水平三溫區梯度凝固法生長砷化鎵單晶的方法
0241)一種鎵鋁合金、制備方法及其在制氫領域的應用
0242)碘鎵燈的可拆卸燈座
0243)直拉法生長摻鎵硅單晶的方法和裝置
0244)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0245)一種生產4N金屬鎵的方法
0246)一種制造重摻雜氮化鎵場效應晶體管的方法
0247)新型半導體材料銦鎵氮表面勢壘型太陽電池及其制備方法
0248)經表面粗化的高效氮化鎵基發光二極管
0249)金剛石上的氮化鎵發光裝置
0250)一種含鎵、銦和鈰的銅磷銀釬料
0251)一種從砷化鎵工業廢料中綜合回收鎵和砷的方法
0252)一種因干法刻蝕受損傷的氮化鎵基材料的回復方法
0253)一種鎵酸鑭基固體氧化物燃料電池用正極材料的制備方法
0254)通過去除襯底來制備銦鋁鎵氮光發射器
0255)非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置
0256)氮化鎵系發光二極管結構
0257)用于塑封的砷化鎵芯片鈍化方法
0258)用于制造基于氮化鎵的單晶襯底的方法和裝置
0259)2(*)寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點材料生長方法
0261)共振隧穿增強銦鎵砷/鎵砷量子阱紅外探測器
0262)摻有金屬氧化物的氧化鎵氣體感應膜及其制備方法
0263)砷化鎵／磷化銦異質氣相外延技術
0264)液(*)鎵的回收方法
0266)氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的氧化鋁掩膜及制備方法
0267)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0268)含鎵、銦和鈰的無鎘銀釬料
0269)可調節安裝位置的碘鎵燈
0270)偏鎵砷(100)襯底雙模尺寸分布銦砷量子點及制作方法
0271)氮化鎵系Ⅲ(*)采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片
0273)鎵中雜質元素的分析方法
0274)直拉法生長銻化鎵單晶的方法和裝置
0275)氮化鎵基半導體器件
0276)一種判斷氮化鎵基發光二級管非輻射復合中心濃度的方法
0277)小尺寸氮化鎵基藍、綠色發光二極管管芯的制作方法
0278)形成于碳化硅基板上的氮化鎵膜的剝離方法及使用該方法制造的裝置
0279)一種控制氮化鎵(GaN)極性的方法
0280)氮化鎵單晶基板及其制造方法
0281)氮化鎵晶體的制造方法
0282)制備長波長大應變銦鎵砷/銦鎵砷磷量子阱激光器的方法
0283)氮化鎵多重量子井發光二極管的n型接觸層結構
0284)在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導體層,并由此制造氮化鎵半導體結構的方法
0285)一種脈沖電沉積銅銦鎵硒半導體薄膜材料的方法
0286)氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
0287)塊狀單晶含鎵氮化物制造方法
0288)具有高光萃取效率的氮化鎵系發光二極管的結構
0289)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鉑/金歐姆接觸系統
0290)鎵在治療炎性關節炎中的用途
0291)羥基鎵酞菁化合物,其制備方法和用這種化合物的電照相感光元件
0292)一種提高氮化鎵基材料外延層質量的襯底處理方法
0293)一種多電極氮化鎵基半導體器件的制造方法
0294)砷化鎵/砷化鋁分布布拉格反射鏡的濕法腐蝕方法
0295)局部存在有單晶氮化鎵的基底及其制備方法
0296)一種含鎵和鈰的無鎘銀釬料
0297)氮化鎵晶圓
0298)氮化鎵紫外色度探測器及其制作方法
0299)平面型銦鎵砷紅外焦平面探測器及制備方法
0300)提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結構及制作方法
0301)從堿液中分離鎵的方法
0302)硫鎵銀多晶體的制備方法與裝置
0303)生長氮化鎵晶體的方法
0304)磷化鎵發光組件的制造方法以及制造裝置
0305)鎵抑制生物膜形成
0306)具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ(*)改善氮化鎵基半導體發光二極管歐姆接觸的合金方法
0308)鎢輔助熱退火制備氮化鎵納米線的制備方法
0309)透紅外鎵酸鹽玻璃
0310)制造在單晶氮化鎵襯底上的Ⅲ族氮化物基諧振腔發光器件
0311)鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法
0312)一種制備氮化鎵單晶襯底的方法
0313)具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發光二極管及固態白光器件
0314)以多孔氮化鎵作為襯底的氮化鎵膜的生長方法
0315)直拉法生長摻鎵硅單晶的裝置
0316)生長砷化鎵單晶的溫控爐
0317)使用基于副Ⅱ族元素硒化物和/或基于硫鎵化物的磷光體材料發射輸出光的器件與方法
0318)對砷化鋁/砷化鎵的砷化鎵高選擇比化學腐蝕液
0319)一種新型非線性光學晶體硼酸鋁鎵鉍
0320)用于磷化鎵發光元件的外延晶片及磷化鎵發光元件
0321)適用于氮化鎵器件N型歐姆接觸的制作方法
0322)氮化鎵基半導體發光裝置、光照明器、圖像顯示器、平面光源裝置和液晶顯示組件
0323)減小表面態影響的氮化鎵基MSM結構紫外探測器
0324)漸變帶隙的銦鎵砷材料的制備方法
0325)具有鑭鎵硅氧化物單晶基片的聲表面波器件
0326)寬帶隙氮化鎵基異質結場效應晶體管結構及制作方法
0327)氮化鎵系半導體的成長方法
0328)氮化鎵化合物半導體發光元件及其制造方法
0329)一種在砷化鎵襯底上外延生長銻化鎵的方法
0330)在基于氮化鎵的蓋帽區段上有柵接觸區的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法
0331)砷化鎵場效應(晶體)管溝道溫度測試裝置
0332)一種氮化鎵基Ⅲ(*)制造半導體器件的氧化與擴鎵一步運行工藝
0355)摻雜鈣鋰鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途
0366)一種制備氮化鎵基 LED的新方法
0367)鋁鎵氮化物/氮化鎵高電子遷移率晶體管及制造方法
0368)利用始于溝槽側壁的橫向生長來制造氮化鎵半導體層
0369)氮化鎵基半導體器件及其制造方法
0370)自剝離氮化鎵襯底材料的制備方法
0371)富有機鎵豆芽的生產方法及應用
0372)導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產技術和工藝
0373)硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
0374)亞穩態巖鹽相納米氮化鎵的溶劑熱合成制備方法
0375)含鎵硅酸鹽分子篩催化劑的合成方法
0376)碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導體器件以及硅襯底
0377)多倍頻程砷化鎵微波單片集成矢量調制器
0378)制備氮化鎵單晶薄膜的方法
0379)超高立式反應器的氮化鎵金屬有機物化學氣相淀積法設備
0380)氮化鎵基Ⅲ(*)基于堿土金屬、硫和鋁、鎵或銦的化合物,其制備方法及其作為發光材料的使用
0382)摻釹釓鎵石榴石激光晶體的生長方法
0383)中濃度P型摻雜透射式砷化鎵光陰極材料及其制備方法
0384)用于生長平坦半極性氮化鎵的技術
0385)用AlN制作大功率鎵砷/鋁鎵砷激光器非吸收窗口的方法
0386)硝酸鎵的制備方法
0387)低極化效應的氮化鎵基發光二極管用外延材料及制法
0388)制備放射性標記的鎵絡合物的微波方法
0389)高亮度氮化鎵類發光二極體結構
0390)自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
0391)氮化鎵基異質結場效應晶體管結構及制作方法
0392)一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池及其制備方法
0393)砷化鎵/氧化鋁型可調諧濾波器及制作方法
0394)氮化鎵發光二極管結構
0395)氮化鎵化合物半導體制造方法
0396)氮化鎵系發光器件
0397)一種鎵酸釔基三色熒光材料及其制備方法
0398)鋁鎵銦磷系化合物半導體發光器及其制造方法
0399)砷化鎵單晶襯底及使用該襯底的外延晶片
0400)垂直結構的非極化的氮化鎵基器件及側向外延生產方法
0401)生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備
0402)金屬有機物化學氣相沉積氮化鎵基薄膜外延生長設備
0403)硅酸鑭鎵晶片及其制備方法
0404)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發光二極管及制備方法
0405)一種用低硅鐵生產金屬鎵的工藝及其裝置
0406)單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
0407)一種含鎵、銦和鈰的無鎘銀基釬料
0408)氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
0409)氮化鎵薄膜材料的制備方法
0410)氮化鎵基LED的發光裝置
0411)鋁銦磷或鋁鎵銦磷材料大功率半導體激光器及制作方法
0412)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0413)鋁鎵氮(*)燒結的多晶氮化鎵
0415)硝酸鎵的制備方法
0416)氮化鎵襯底以及氮化鎵襯底測試及制造方法
0417)一種氮化鎵基場效應管及其制作方法
0418)氮化鎵單晶的生長方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0419)一種提取鎵的生產方法
0420)一種從含鎵的釩渣中提取鎵的方法
0421)一種砷化鎵基半導體(*)一種用于氮化鎵外延生長的圖形化襯底材料
0423)氮化鎵系Ⅲ(*)獲得大單晶含鎵氮化物的方法的改進
0425)鋅和/或鎵促進的多金屬氧化物催化劑
0426)掩埋結構鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法
0427)氮化砷化鎵銦系異質場效應晶體管及其制造方法和使用它的發送接收裝置
0428)含鎵和鈰的無鎘銀釬料
0429)含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導體發光元件及其制造方法
0430)一種氮化鎵基發光二極管P型層透明導電膜及其制作方法
0431)形成鎵砷/鋁鎵砷激光二極管的非吸收窗口的方法
0432)氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法
0433)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0434)以氮化鎵為基底的半導體發光裝置
0435)性能提高的砷化鎵異質結雙極晶體管及其制造方法
0436)晶片鍵合的鋁鎵銦氮結構
0437)新型垂直結構的氮化鎵基半導體發光二極管
0438)用于超高密度數據存儲器件的銦的硫系化物、鎵的硫系化物、和銦－鎵硫系化物的相變介質
0439)碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法
0440)異質面砷化鎵背場太陽能電池
0441)氮化鎵系發光二極管的垂直電極結構
0442)太陽能電池銅銦鎵硒薄膜關鍵靶材及其制備方法
0443)生長高遷移率氮化鎵外延膜的方法
0444)氮化鎵系異質結構光二極體
0445)碘鎵燈
0446)一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法
0447)一種無液封合成砷化鎵多晶材料的工藝方法
0448)氮化鎵的塊狀單結晶的制造方法
0449)一種生產金屬鎵聯產氧化鋁的方法
0450)氮化鎵半導體器件
0451)含鎵、銦、硅和稀土釹的無鎘銀釬料
0452)氮化銦鎵發光二極管
0453)鎵的回收方法
0454)具有基于氮化鎵的輻射外延層序列的發光二極管芯片及其制造方法
0455)氮化鎵熒光體、其制造方法及使用該熒光體的顯示裝置
0456)鍺酸鎵鍶壓電晶體的坩堝下降法生長方法
0457)大尺寸砷化鎵單晶結構的缺陷檢測方法
0458)一種生長室和氮化鎵體材料生長方法
0459)砷化鎵基增強/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管柵制作工藝
0460)一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法
0461)垂直的氮化鎵基發光二極管及其制造方法
0462)微臺面結構的銦鎵砷線列探測器
0463)非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0464)銅銦鎵的硒或硫化物半導體薄膜材料的制備方法
0465)垂直氮化鎵半導體器件和外延襯底
0466)磷酸鎵晶體的助熔劑生長法
0467)高亮度氮化銦鎵鋁發光二極管及其制造方法
0468)導電和絕緣準氮化鎵基生長襯底
0469)高銦組分鎵砷/銦鎵砷量子阱結構及其制備方法
0470)一種檢測氮化鎵基材料局域光學厚度均勻性的方法
0471)磁性半導體鎵錳銻單晶熱平衡生長方法
0472)氮化鎵半導體襯底及其制造方法
0473)一種氮化鎵基外延膜的制備方法
0474)一種改善氮化鎵功率晶體管散熱性能的方法
0475)結晶狀鎵磷酸鹽組合物
0476)得到鎵(*)提取鎵、銦、鍺酸性廢水綜合處理新技術
0478)在硅襯底上生長無裂紋氮化鎵薄膜的方法
0479)銦鎵砷光電探測器制造的開管鋅擴散方法
0480)氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
0481)一種有機鎵豆芽粉與鈣制劑的組合物及其制備方法
0482)用橫向生長制備氮化鎵層
0483)氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長
0484)激光誘導下的氮化鎵P型有效摻雜制備方法
0485)氮化鎵系化合物半導體發光器件
0486)用磁控濺射法在鎵砷襯底上外延生長銦砷銻薄膜的方法
0487)具有氮化鎵基的輻射外延層的發光二極管芯片及制造方法
0488)氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
0489)氮化鎵基發光二極管的垂直組件結構及其制造方法
0490)三甲基鎵生產方法及設備
0491)從砷化鎵工業廢料中回收鎵和砷的方法
0492)一種采用新型助熔劑熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
0493)單結銦鎵氮太陽能電池結構及制作方法
0494)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0495)銦鎵砷光電探測器
0496)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發光器件的方法
0497)兩步合成制備摻釹釓鎵石榴石單晶原料的方法
0498)一種生長砷化鎵單晶的抽真空裝置
0499)氮化鎵透明導電氧化膜歐姆電極的制作方法
0500)高P型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長方法
0501)在鎵砷襯底上生長銦砷銻薄膜的液相外延生長方法
0502)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0503)改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結構
0504)多層外延砷化鎵的雙源法和裝置
0505)氧化鎵(*)制備銻化鎵基半導體器件用的化學腐蝕液體系
0507)提高鋁鎵氮材料質量的方法
0508)氮化鎵系發光二極管
0509)PIN結構氮化鎵基紫外探測器及其制作方法
0510)具有相反轉化的控制終點和形狀記憶效應的鎳錳鎵合金
0511)往氮化鎵結晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
0512)一種用于制備稀土摻雜氮化鎵發光薄膜的方法和裝置
0513)磁力運動遠望圖形砷化鎵半導體激光近視弱視治療儀
0514)形成氮化鎵器件和電路中接地通孔的方法
0515)從剛玉電弧爐冶煉煙塵中提取金屬鎵的方法
0516)直徑2英寸非摻<111>磷化鎵單晶片拋光工藝
0517)_具有倒臺面支承結構的銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器
0518)銦鎵砷光電探測器
0519)牙體充填鎵合金材料
0520)砷化鎵襯底上的混合并質外延
0521)碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
0522)溶膠－凝膠法制氮化鎵納米多晶薄膜
0523)功率型氮化鎵基發光二極管芯片
0524)從氧化鋁生產流程中提取鎵的離子交換法
0525)一種硅酸鎵銻基壓電單晶
0526)改進砷化鎵晶片表面質量的方法
0527)光學讀出的氮化鎵基單量子阱超聲波傳感器
0528)用液體(*)基于氮化鎵半導體的紫外線光檢測器
0530)低碳鏈烴芳構化用鎵、鋅、鉑改性HZSM(*)生長低位錯非摻雜半絕緣砷化鎵單晶的裝置
0532)硝酸鎵的制備方法
0533)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0534)磷化銦和砷化鎵材料的直接鍵合方法
0535)氮化鎵單晶襯底及其制造方法
0536)透可見和中紅外的鍺鎵酸鹽玻璃
0537)一種照明用氮化鎵基發光二極管器件
0538)內圓切片機切割水平砷化鎵單晶片的工藝
0539)電解—結晶聯合法生產高純鎵
0540)氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的制作方法
0541)垂直溫梯法生長鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體
0542)砷化鎵/鋁鎵砷紅外量子阱材料峰值響應波長的檢測方法
0543)薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學器件及其制備方法
0544)釔鎵石榴石基陶瓷材料及其制備方法
0545)銦鎵砷/銦鋁砷耦合量子點紅外探測器及其制備方法
0546)銦鎵氮薄膜的快速填埋生長方法
0547)塊狀單晶含鎵氮化物及其應用
0548)從氧化鋁生產流程中提取金屬鎵的方法
0549)在平板玻璃上沉積氧化鎵涂層的方法
0550)磷化鎵發光二極管電極制備工藝
0551)一種從高鋁粉煤灰中提取二氧化硅、氧化鋁及氧化鎵的方法
0552)砷化銦和砷化鎵的納米結構及其制作方法
0553)氮化鎵類半導體元件及其制造方法
0554)一種碘鎵燈
0555)砷化鎵、磷化鎵襯底干處理方法
0556)氮化鎵系Ⅲ(*)減少磷酸鎵壓電晶體單元含水量的方法、裝置及按此方法生產的晶體單元
0558)制作氮化鎵半導體元件中劈裂鏡面的方法
0559)白光半導體光源及鑭鎵硅酸鹽基質的熒光粉及其制作方法
0560)磷化鎵晶片納米級超光滑加工工藝
0561)鎵砷/鋁鎵砷甚長波量子阱紅外探測器
0562)一種磷化鎵晶片雙面拋光方法
0563)具有增強發光亮度的氮化鎵發光二極管結構
0564)具有緩沖電極結構的氮化鎵半導體芯片
0565)反射式銦鎵砷陷阱輻射探測器
0566)窄條選擇外延技術制作鋁銦鎵砷掩埋脊波導激光器及方法
0567)藥物鎵組合物和方法
0568)氮化鎵單晶膜的制造方法
0569)氮化鎵薄膜制備技術及專用裝置
0570)一種水平摻鉻半絕緣砷化鎵晶體的生長設備
0571)雙摻鉻鐿釓鎵石榴石自調Q激光晶體及其生長方法
0572)氮化鎵系發光二極管的結構及其制造方法
0573)超寬帶砷化鎵單片數字、模擬移相器
0574)光輻射加熱金屬有機化學汽相淀積氮化鎵生長方法與裝置
0575)基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
0576)氧化鎵(*)石英基鉍鎵鉺鋁共摻光纖及其制作方法
0578)氮化鎵外延層的制造方法
0579)超高純金屬鎵的制備方法
0580)氮化鎵系列化合物半導體元件
0581)背孔結構氮化鎵基發光二極管的制作方法
0582)硫化鎵玻璃
0583)砷化鎵表面清潔方法
0584)垂直基于氮化鎵的發光二極管
0585)一種含鎵、銦、鎳和鈰的無鎘銀釬料
0586)激光誘導下的氮化鎵P型歐姆接觸制備方法
0587)一種硝酸鎵的制備方法
0588)適用于開管鎵擴散石英管的制造工藝
0589)提高氧化鋁/砷化鎵分布布拉格反射鏡界面質量的方法
0590)一種提高氮化鎵(GaN)基半導體材料發光效率的方法
0591)一種氮化鎵基半導體光電器件的制作方法
0592)一種銻化鎵納米半導體溶劑熱共還原制備方法
0593)無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池緩沖層薄膜的制備方法
0594)一種用于氮化鎵外延生長的復合襯底
0595)用于制造化合物半導體的高純度鎵的純化方法
0596)橫向外延生長高質量氮化鎵薄膜的方法
0597)在納米棒的氧化鋅上生長無支撐的氮化鎵納米晶的方法
0598)銦鎵鋁氮發光器件
0599)降低氮化鎵單晶膜與異質基底間應力的方法
0600)用于制造化合物半導體的高純度鎵及其純化方法和裝置
0601)使用多導電層作為P型氮化鎵歐姆接觸的透明電極結構
0602)含鎵、銦和稀土釹及鈰的無鎘銀釬料
0603)在硅襯底上制備高質量銦鎵鋁氮材料的方法
0604)用于合成氮化鎵粉末的改進的系統和方法
0605)砷化鎵基增強/耗盡型膺配高電子遷移率晶體管材料
0606)用于氮化鎵材料制備工藝的輻射式加熱器
0607)一種鎳錳鈷鎵高溫形狀記憶合金及其制備方法
0608)含鎵的鋁硅酸鹽型催化劑在每分子具有5～7個碳原子的輕餾分的芳構化反應中的應用
0609)氮化鎵(GaN)類化合物半導體裝置及其制造方法
0610)一種P型磷化鎵半導體材料及其制備方法
0611)提高氮化鎵材料載流子遷移率的方法
0612)砷化鎵場效應晶體管溝道溫度測試方法
0613)氮化鎵基藍光發光二極管
0614)氮化鎵陶瓷體的制備方法
0615)粉末或燒結形式的LaMO3型化合物,其中M為鋁、鎵或銦,其制備方法及其作為氧導體的應用
0616)溶解法自氧化鋁生產中回收鎵
0617)直流到50千兆赫低相移多功能砷化鎵微波單片電調衰減器
0618)砷化鎵單晶的生長方法
0619)氮化鎵基高亮度高功率藍綠發光二極管芯片
0620)氮化鎵基可見/紫外雙色光電探測器
0621)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
0622)氮化鎵晶體的制備方法
0623)氮化鎵基發光二極管芯片及其制作方法
0624)由三價銩激活的發光鎵酸鑭和備有它的熒光屏及其陰極射線管
0625)自組織砷化銦/砷化鎵盤狀量子點材料的制作方法
0626)氮化鎵結晶的制造方法
0627)銦鎵砷線列紅外焦平面探測器
0628)從鎵酸鈉溶液中回收硫化鈉
0629)采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法
0630)氮化鎵基發光二極管及其制造方法
0631)可諧調能量和脈沖頻率的運動圖形砷化鎵激光弱視矯治儀
0632)從氧化鋁生產過程的循環母液中萃取鎵的工藝
0633)高純度烷基鎵的制備
0634)氮化鎵晶體襯底及其制造方法
0635)異質外延生長的氮化鎵晶體的位錯密度測定方法
0636)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/鉑/金的歐姆接觸系統
0637)氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
0638)一種制備納米鎵酸鎂的新方法
0639)具有無鎵層的III族氮化物發光器件
0640)氮化鎵半導體裝置的封裝
0641)從拜耳液中萃取并提純鎵的方法
0642)獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置
0643)磷化銦基磷化銦/銦鎵砷銻/磷化銦雙異質結雙極晶體管
0644)射頻等離子體分子束外延生長氮化鎵的雙緩沖層工藝
0645)氮化鎵基發光二極管芯片
0646)一種改變氫化物氣相外延法生長的氮化鎵外延層極性的方法
0647)高強度彈性電接觸鈀銀銅鎵合金
0648)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發光二極管
0649)一種用剛玉爐渣低硅鐵生產金屬鎵的裝置
0650)用鎵對不良肝臟病癥的治療和預防
0651)羥基鎵酞菁化合物,其制備方法和用這種化合物的電照相感光元件
0652)一種用于砷化鎵晶片的拋光液及其制備方法
0653)一種鋅鎵氧化物陶瓷靶材及其制備方法和應用
0654)基于氮化鎵的裝置和制造方法
0655)氮化鎵基藍光激光器的制作方法
0656)氮化鎵系Ⅲ(*)高線性度砷化鎵霍爾器件的制備工藝
0658)氮化鎵基高單色性光源陣列
0659)氮化鎵序列的復合半導體發光器件
0660)一種生長長尺寸半絕緣砷化鎵單晶的裝置
0661)用于高質量同質外延的連位氮化鎵襯底
0662)一種高發光效率的氮化鎵系列發光二極管及其制造方法
0663)應用于基于氮化鎵材料的包封退火方法
0664)氮化鎵系發光組件及其制造方法
0665)一種小體積高亮度氮化鎵發光二極管芯片的制造方法
0666)基于堿土金屬硫代鎵酸鹽的高效磷光體
0667)氮化鎵基發光二極管及其制造方法
0668)鈮酸鎵鑭系列納米粉體的制備方法
0669)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0670)一種高純鎵的制備方法
0671)用于銦鎵砷/磷化銦平面PIN光電探測器芯片制作的外延片結構
0672)單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
0673)單溫區開管擴鎵生產晶閘管工藝
0674)氮化鎵基半導體發光二極管及其制造方法
0675)一種可調制帶隙寬度的鎵銦氧化物薄膜及其制備方法
0676)氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
0677)砷化鎵襯底上的多層變形緩沖層的制作方法
0678)一種氮化鎵單晶的熱液生長方法
0679)一種開管鋁鎵擴散工藝
0680)I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
0681)稀土或鎵的加成組合物、其制備方法和作為催化劑的用途
0682)砷化鎵光接收模塊
0683)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/金歐姆接觸系統
0684)導電的非極化的復合氮化鎵基襯底及生產方法
0685)倒裝氮化鎵基發光二極管芯片的制作方法
0686)銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池
0687)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0688)特別用于濺射靶、管狀陰極等的制造的基于銅(*)一種鎳錳銅鎵高溫形狀記憶合金及其制備方法
0690)基于氮化鎵鋁的多波段紫外輻照度測量裝置
0691)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0692)三甲基鎵制備和提純方法
0693)一種制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0694)一種無損檢測磷化銦與砷化鎵基材料直接鍵合質量的方法




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