干蝕刻技術資料-氣蝕刻-蝕刻玻璃-實時蝕刻-蝕刻貝殼-能選擇性蝕刻類資料（198元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：198元；資料（光盤）編號：F150850
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《干蝕刻資料》包括專利技術全文資料119份。
0001)掩膜形成方法其形成用功能層、干蝕刻法及信息記錄媒體制法

0011)金屬蝕刻裝飾板及其制造方法
0012)蝕刻殘渣除去方法以及使用它的半導體器件的制造方法
0013)可去除蝕刻制程后的殘留聚合物及降低氧化物損失的方法
0014)在基底蝕刻制程中的干涉終點偵測
0015)一種去除晶片表面上蝕刻殘留物的方法
0016)敏射線樹脂組合物及其改進其防干性蝕刻性能的方法
0017)光蝕刻用清洗液及使用其的清洗方法
0018)用于襯底的各向異性蝕刻的非晶蝕刻停止
0019)在金屬層蝕刻后移除光阻的方法
0020)鏤空蝕刻揭啟檢驗模壓全息防偽標識及其生產工藝
0021)PDP濾光器以及使用完全蝕刻的電磁干擾膜制造該濾光器的方法
0022)光致抗蝕劑蝕刻中前邊界點技術
0023)硅蝕刻和腔室清潔工藝的集成
0024)激光蝕刻裝置
0025)一種錯位雙面蝕刻的刨片加工方法
0026)金屬蝕刻地圖
0027)利用化學干蝕刻形成圓弧化邊角的方法
0028)干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法
0029)高高寬比開口的蝕刻方法
0030)多層膜的干濕結合蝕刻方法
0031)蝕刻系統及其純水添加裝置
0032)具有直立式洗凈器的干蝕刻機臺
0033)蝕刻量檢測方法、蝕刻方法和蝕刻裝置
0034)改善蝕刻多晶硅的均勻性和減少其蝕刻速率變化的方法
0035)一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法
0036)銅及銅合金表面精細蝕刻技術
0037)蝕刻介電層形成接觸窗和介層窗的方法以及鑲嵌工藝
0038)旋轉蝕刻的工序管理方法及旋轉蝕刻裝置
0039)改進蝕刻率均一性的設備和方法
0040)鏤空蝕刻揭啟檢驗模壓全息防偽標識
0041)生產核徑跡膜的連續蝕刻裝置
0042)中國絲綢蝕刻方法
0043)利用蝕刻廢液制備飼料級蛋氨酸銅螯合物的方法
0044)金屬薄膜干蝕刻的后處理方法及蝕刻與去光阻的整合系統
0067)干式蝕刻方法、干式蝕刻氣體及全氟(*)干蝕刻方法、微細結構形成方法、模具及其制造方法
0077)用于化學干式蝕刻系統的系統和方法
0078)用線路板蝕刻廢液生產氯化銨的方法
0079)深溝渠的制備方法及其蝕刻混合液
0080)相對于未摻雜二氧化硅和氮化硅能選擇性蝕刻摻雜二氧化硅的蝕刻劑,其使用方法和形成的結構
0081)鋁及鋁合金表面精細蝕刻技術
0082)去除焊墊窗口蝕刻后殘留聚合物的方法
0083)氮化鎵表面低損傷蝕刻
0084)利用印刷板蝕刻廢液制備氯化亞銅的方法
0085)TFT LCD玻璃基板的蝕刻裝置及其蝕刻方法
0086)單晶硅太陽能電池化學蝕刻、清洗、干燥的方法和它的一體化處理機
0087)用電腦刻繪光固化技術蝕刻貝殼海螺的方法
0088)一種晶片干蝕刻的裝置及控制方法
0089)在原位干涉量測終點偵測及非干涉量測終點監控中執行氮化物墊片蝕刻工藝的方法與設備
0090)干式蝕刻裝置及干式蝕刻方法
0091)金屬蝕刻板條裝飾門
0092)干蝕刻后的洗滌液組合物及半導體裝置的制造方法
0093)具有改進型抗蝕劑及/或蝕刻輪廓特征的介電膜用蝕刻方法
0094)用于制造平板顯示裝置的蝕刻設備及使用其的制造方法
0095)通過添加碳降低氮化硅蝕刻速率的方法
0096)一種用于制造半導體組件的干式蝕刻方法
0097)采用整合測量以增進介電質蝕刻效率的方法和設備
0098)干式蝕刻方法、磁記錄介質的制造方法和磁記錄介質
0099)用于確定實時蝕刻速率的淺角干涉工藝及裝置
0100)用于干蝕刻反應室的壓力計感應器的緩沖器
0101)用電腦刻繪光固化技術蝕刻玻璃的方法
0102)一種不銹鋼快速深度電化學蝕刻方法
0103)用于顯微機械加工晶體材料的蝕刻方法以及由此方法制備的器件
0104)用以避免條紋現象的蝕刻方法
0105)硅的各向異性濕式蝕刻
0106)金屬蝕刻裝飾條及其制造方法
0107)低蝕刻性光刻膠清洗劑及其清洗方法
0108)便攜式XeF2蝕刻室及其使用方法
0109)一種雙面微影蝕刻新制程及其保護層的組成
0110)使用蝕刻阻擋區的干法蝕刻系統的系統和方法
0111)濕蝕刻設備
0112)干式蝕刻器中殘留氣體的去除裝置及去除方法
0113)在介電層中蝕刻開口的方法
0114)空間相鎖定掃描電子束蝕刻方法
0115)彩色濾光片的蝕刻方法與其制作方法
0116)金屬披覆板的電漿蝕刻進度監測結構
0117)金屬氧化物/光致抗蝕膜積層體的干蝕刻方法
0118)化學蝕刻形成盲孔的多層電路板制法
0119)干蝕刻方法、微細結構形成方法、模具及其制造方法



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